https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/502090
標題: | Ultra-high-vacuum chemical vapor deposition of hetero-epitaxial Si <inf>1-x-y</inf> Ge <inf>x</inf> C <inf>y</inf> thin films on Si(0 0 1) with ethylene (C <inf>2</inf> H <inf>4</inf> ) precursor as carbon source | 作者: | Chen, P.S. Lee, S.W. Liu, Y.H. Lee, M.H. Tsai, M.-J. Liu, C.W. CHEE-WEE LIU |
公開日期: | 2005 | 卷: | 8 | 期: | 1-3 SPEC. ISS. | 起(迄)頁: | 15-19 | 來源出版物: | Materials Science in Semiconductor Processing | URI: | https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/502090 | DOI: | 10.1016/j.mssp.2004.09.052 |
顯示於: | 電機工程學系 |
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