https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/546679
標題: | Leakage current lowering and film densification of ZrO 2 high-k gate dielectrics by layer-by-layer, in-situ atomic layer hydrogen bombardment | 作者: | Huang, K.-W. Chang, T.-J. Wang, C.-Y. Yi, S.-H. Wang, C.-I. Jiang, Y.-S. Yin, Y.-T. Lin, H.-C. Chen, M.-J. HSIN-CHIH LIN MIIN-JANG CHEN |
公開日期: | 2020 | 卷: | 109 | 來源出版物: | Materials Science in Semiconductor Processing | URI: | https://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-85077920572&partnerID=40&md5=9f7cfec3dc4ba957270baecc6ce79346 https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/546679 |
DOI: | 10.1016/j.mssp.2020.104933 |
顯示於: | 材料科學與工程學系 |
在 IR 系統中的文件,除了特別指名其著作權條款之外,均受到著作權保護,並且保留所有的權利。