https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/590715
標題: | The demonstration of colossal magneto-capacitance and “negative” capacitance effect with the promising characteristics of Jg-EOT and transistor’s performance on Ge (100) n-FETs by the novel magnetic gate stack scheme design | 作者: | M.-H. Liao S. C. Huang C. Y. Liu P. G. Chen S. C. Kao C. Lien MING-HAN LIAO |
公開日期: | 2014 | 來源出版物: | 2014 Symposium on VLSI Technology (VLSI-technology) | 描述: | 美國夏威夷 |
URI: | https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/590715 |
顯示於: | 機械工程學系 |
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