https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/590720
標題: | Prospects for Ferroelectric HfZrOx FETs with Experimentally CET=0.98nm,SSfor=42mV/dec, SSrev=28mV/dec, Switch-OFF <0.2V, and Hysteresis-Free Strategies | 作者: | M. H. Lee MING-HAN LIAO |
公開日期: | 2015 | 來源出版物: | IEEE Electron Device Meeting (IEDM) 2015 | 描述: | 美國華盛頓 |
URI: | https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/590720 |
顯示於: | 機械工程學系 |
在 IR 系統中的文件,除了特別指名其著作權條款之外,均受到著作權保護,並且保留所有的權利。