https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/81524
標題: | Ga0.51In0.49P/InxGa1-xAs/GaAs Lattice-Matched and Strained Doped-Channel Field-Effect-Transistors Grown by Gas-Source Molecular-Beam-Epitaxy | 作者: | Lin, Yo-Sheng Lu, Shey-Shi Chang, Pei-Zen |
公開日期: | 二月-1999 | 卷: | 85 | 期: | 4 | 起(迄)頁: | 2197-2201 | 來源出版物: | Journal of Applied Physics | URI: | http://ntur.lib.ntu.edu.tw//handle/246246/198092 |
顯示於: | 應用力學研究所 |
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