| Issue Date | Title | Author(s) | Source | scopus | WOS | Fulltext/Archive link |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 1994 | 以含氮氧化矽閘極製程製作高穩定度矽金氧半元件 | 胡振國 | ||||
| 1995 | 以快速熱程序生長及退火薄閘極氧化層 | 胡振國 | ||||
| 1997 | 以液相沉積法將雜質含入矽氧化層技術之研發 | 胡振國 | ||||
| 1998 | 低溫預成長再高溫快速熱處理備製薄閘極氧化層 | 胡振國 | ||||
| 2000 | 低漏流高穩定性超薄閘極氧化層製程研究 | 胡振國 |  | |||
| 2008 | 先進CMOS元件及製程研究－子計畫一：適用於低溫基板製程之高品質絕緣膜形成技術(2/3) | 胡振國 | | |||
| 2008 | 先進CMOS元件及製程研究－子計畫一：適用於低溫基板製程之高品質絕緣膜形成技術(3/3) | 胡振國 | ||||
| 2008 | 先進CMOS元件及製程研究－總計畫(2/3) | 胡振國 | | |||
| 2008 | 先進CMOS元件及製程研究－總計畫(3/3) | 胡振國 | ||||
| 1991 | 光纖通訊用元件之輻射穩定度研究 | 胡振國 | ||||
| 1996 | 半導體工程人才培育計畫─半導體工程人才培育計畫:子計畫二:矽金氧半光電元件製作 | 胡振國 | ||||
| 1997 | 半導體工程人才培育計畫─半導體工程人才培育計畫:子計畫二:矽金氧半光電元件製作(II) | 胡振國 | ||||
| 1998 | 半導體工程人才培育計畫─子計畫二:矽金氧半光電元件製作(3/3) | 胡振國 | ||||
| 1998 | 半導體關鍵設備研發(II)─子計畫一:快速熱處理機台自動化研究 | 胡振國 | ||||
| 1999 | 半導體關鍵設備研發(III)─子計畫一：快速熱處理機台自動化研究 | 胡振國 | ||||
| 1997 | 半導體關鍵設備研發─子計畫一：快速熱處理機台自動化研究(I) | 胡振國 | ||||
| 1999 | ─半導體關鍵設備研發－總計畫(III) | 胡振國 | ||||
| 1999 | 參加1998國際電子元件材料會議 | 胡振國 | ||||
| 2008 | 微電子工程學門研究發展及推動規劃(2/3) | 胡振國 | | |||
| 2008 | 微電子工程學門研究發展及推動規劃(3/3) | 胡振國 |
