公開日期 | 標題 | 作者 | 來源出版物 | scopus | WOS | 全文 |
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1998 | 以矽晶圓為基礎的長波長紅外線偵測器(新型SiGeC 材料之研究) | 劉致為 | ||||
2007 | 先進CMOS元件及製程研究-子計畫四:遷移率增強技術(2/3) | 劉致為 | ||||
2008 | 先進CMOS元件及製程研究-子計畫四:遷移率增強技術(3/3) | 劉致為 | ||||
1999 | 具網路結合功能之半導體製造集結式機台─子計畫二:用於12吋晶圓製造之前段製程技術(1/3) | 劉致為 | ||||
2000 | 具網路結合功能之半導體製造集結式機台─子計畫二:用於12吋晶圓製造之前段製程技術(2/3) | 劉致為 | ||||
2001 | 具網路結合功能之半導體製造集結式機台─子計畫二:用於12吋晶圓製造之前段製程技術(3/3) | 劉致為 | ||||
2005 | 前瞻矽鍺/高介電質/金屬閘極元件及模組技術 – 子計 畫四:矽鍺/高介電質/金屬閘極光電元件與模組技術(I) | 劉致為 | ||||
2005 | 前瞻矽鍺/高介電質/金屬閘極元件及模組技術 –總 計劃(I) | 劉致為 | ||||
1999 | 半導體關鍵設備研發(III)─子計畫二:0.35UM或更高技術之單晶圓化學氣相沉積反應器 | 劉致為 | ||||
1998 | 半導體關鍵設備研發-子計畫二﹕ 0.35:m 或更高技術之單晶圓化學氣相沉積反應器( I ) | 劉致為 | ||||
1997 | 半導體關鍵設備研發─子計畫二:0.35um或更高技術之單晶圓化學氣相沉積反應器(I) | 劉致為 | ||||
2003 | 可供四吋到八吋及破片作晶圓鍵結之快熱製程機台 | 劉致為 | ||||
2004 | 可供四吋到八吋及破片作晶圓鍵結之快熱製程機台(Ⅱ) | 劉致為 | ||||
2004 | 增強照射均勻度的快熱製程機台反射體之製作與可靠度測試 | 劉致為 | ||||
2002 | 奈米技術及產業通識教材(3)奈米電子元件 | 劉致為 ; 游李興 | ||||
2004 | 奈米電子 | 劉致為 ; 李敏鴻; 魏拯華 | ||||
2000 | 快速熱機台設備及製程研發(1/3)─子計畫二:超高真空快熱化學沉積反應機台之製作與應用 | 劉致為 | ||||
2001 | 快速熱機台設備及製程研發(2/3)─子計畫二:超高真空快熱化學沉積反應機台之製作與應用 | 劉致為 | ||||
2002 | 快速熱機台設備及製程研發(3/3)─子計畫二 超高真空快熱化學沉積反應機台之製作與應用 | 劉致為 | ||||
2008 | 應用於CMOS影像感測器上的透明膜玻璃雷射切割技術 | 劉致為 |