公開日期 | 標題 | 作者 | 來源出版物 | scopus | WOS | 全文 |
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2012 | The influence of dislocations on optical and electrical properties of epitaxial ZnO on Si (111) using a $γ$-Al 2 O 3 buffer layer | Liu, W-R; Lin, BH; Yang, S; Kuo, CC; Li, Y-H; Hsu, C-H; Hsieh, WF; Lee, WC; MINGHWEI HONG ; Kwo, J | CrystEngComm |