公開日期 | 標題 | 作者 | 來源出版物 | scopus | WOS | 全文 |
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2012 | Unipolar resistive switching memory characteristics using IrO<inf>x</inf>/Al<inf>2</inf>O<inf>3</inf>/SiO<inf>2</inf>/p-Si MIS structure | Banerjee, W.; Maikap, S.; Chen, Y.-Y.; Yang, J.R.; JER-REN YANG | ECS Transactions |