公開日期 | 標題 | 作者 | 來源出版物 | scopus | WOS | 全文 |
2006 | P型與N型金氧半電容元件於超薄氧化層之電特性比較及應用 | 張書照; Chang, Shu-Jau | | | | |
2009 | 以伸張應力及直流疊加交流之陽極氧化法成長超薄閘極氧化層 | 李佳叡; Lee, Chia-Jui | | | | |
2007 | 以伸張應力陽極氧化技術成長高品質超薄氧化層 | 王志慶; Wang, Chih-Ching | | | | |
2011 | 以直交流陽極氧化補償技術改善金氧半結構之氧化鋁及氧化鉿介電層品質 | 姜翔耀; Chiang, Hsiang-Yao | | | | |
2004 | 以硝酸氧化金屬膜及高溫退火技術製作奈米尺度高介電係數氧化鋁及氧化鉿閘極介電層 | 郭智昇; Kuo, Chih-Sheng | | | | |
2012 | 以硝酸氧化金屬鉿技術製備氧化鉿/二氧化矽堆疊結構之介電層的穩定度分析 | 張錦昇; Chang, Chin-Sheng | | | | |
2008 | 以純水陽極氧化法製備金氧半太陽能電池效率及穩定度研究 | 莊庭彰; Chuang, Ting-Chang | | | | |
2009 | 以遮蔽式蒸鍍及硝酸氧化技術低溫製備高介電係數氧化鋁閘極介電層 | 陳慶航; Chen, Ching-Hang | | | | |
2007 | 以遮蔽式蒸鍍及硝酸氧化技術備製金氧半元件中超薄氧化鋁高介電常數閘極介電層之特性研究 | 江榮進; Chiang, Jung-Chin | | | | |
2005 | 以陽極氧化及硝酸氧化技術備製金氧半元件中氧化鋁高介電常數閘極介電層及其特性之研究 | 黃思維; Huang, Szu-Wei | | | | |
2010 | 以陽極氧化技術在矽及碳化矽基板上備製超薄閘極介電層之研究 | 莊凱傑; Chuang, Kai-Chieh | | | | |
2005 | 以陽極氧化補償技術改善快速熱氧化層品質 | 鄭曼雯; Cheng, Man-Wen | | | | |
2008 | 伸張應力對快速熱成長超薄閘極氧化層金氧半電容元件之效應 | 劉建語; Liu, Chien-Yu | | | | |
2008 | 伸張應力對超薄閘極氧化層金氧半電容元件之影響 | 陳星霖; Chen, Hsing-Lin | | | | |
2009 | 低溫製程高介電係數閘極介電層之金氧半元件特性研究 | 張嘉華; Chang, Chia-Hua | | | | |
2007 | 使用電容量測曲線的低散逸因子區域來決定超薄閘極氧化層的厚度 | 張博凱; Chang, Po-Kai | | | | |
2008 | 具不同邊界摻雜濃度突波抑制器二極體之模擬、製程與量測 | 汪海寧; Hai-Ning, Wang | | | | |
2004 | 利用MOS穿透二極體製作溫度感測器 | 鄭應山; Jeng, Ing-Shan | | | | |
2005 | 利用交直流陽極氧化補償技術改善超薄閘極氧化層品質 | 林彥廷; Lin, Yen-Ting | | | | |
2006 | 利用伸張形變下之溫度處理改善乾氧生長氧化層之金氧半電容元件特性 | 龔鍵; Kung, Chien | | | | |