公開日期 | 標題 | 作者 | 來源出版物 | scopus | WOS | 全文 |
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2009 | 3510-V 390-mΩ · cm2 4H-SiC lateral JFET on a semi-insulating substrate | Huang, C.-F.; Kan, C.-L.; Wu, T.-L.; Lee, M.-G.; Liu, Y.-Z.; Lee, K.-Y.; Zhao, F.; KUNG-YEN LEE | IEEE Electron Device Letters | |||
2009 | High voltage lateral 4H-SiC JFETs on a semi-insulating substrate | Huang, C.-F.; Kan, C.-L.; Wu, T.-L.; Lee, M.-C.; Liu, Y.-Z.; Lee, K.-Y.; Zhao, F.; KUNG-YEN LEE | Device Research Conference |