學研合作計畫-高介電與高遷移率金氧半場效電晶體 : 高性能

Project title

Internal ID

99-2120-M-002-016-

Principal Investigator

Start Date

August 1, 2010

End Date

July 31, 2012

Partner Organizations

Keywords

高介電質材料

原子層沉積

鍺

三五族半導體

費米能階解除紮釘

電荷攫取

自對準反轉通道金氧半場效電晶體

自對準量子井金氧半場效電晶體

導通電流

關閉態電流

次臨界擺幅

砷化銦鎵(鍺)與矽基板之整合

High  dielectrics

equivalent oxide thickness (EOT)

interfacial density of states (Dit)

atomic layer deposition (ALD)

molecular beam epitaxy (MBE)

III-V semiconductor

Fermi level unpinning

charge trapping

self-aligned process

inversion-channe