A Study on the Growth of CdS Quantum Dots on the GaAs Substrate

Date Issued

2004

Date

2004

Author(s)

Chao, Hsuan-Yi

DOI

zh-TW

URI

http://ntur.lib.ntu.edu.tw//handle/246246/54586

Abstract

本論文內容主要是利用有機金屬化學氣相沈積法(MOCVD)做成長CdS量子點的實驗。分別採用DMZn，DES及DMCd為MOCVD的反應前導物，在確認磊晶參數，磊晶速率後，在GaAs(100)基板上分別成長以ZnS為包覆層的CdS量子點，也就是將CdS量子點材料直接鑲嵌(embed)在另一個能隙較大ZnS勢壘材料中並且直接形成島狀結構。CdS量子點會隨著成長的時間越久，則得到越大的量子點。一開始我們長了很多CdS量子點的樣品，在光致激發光譜 (PL)量測結果發現，其峰值大都在3.1 eV到3.4 eV附近，那時還認為是CdS量子點的發光訊號。不過後來做了EDS元素分析，才知道可能是我們的MOCVD系統有漏氣，導致PL中有ZnO訊號出現。所以必須整修系統後在重做實驗。在整修系統後，我們重新確認磊晶速率，再開始製作CdS量子點。在重做的樣品中，光致激發光譜 (PL)其峰值都在2.9 eV 附近，而且在3.4 eV附近幾乎沒有ZnO的訊號了。也看出CdS量子點隨著成長秒數的增加，量子點尺寸越大，使得量子侷限效應愈不明顯，而有紅移現象。

Subjects

量子點

Quantum Dots

Type

thesis

File(s)

Name

ntu-93-R91222023-1.pdf

Size

23.53 KB

Format

Adobe PDF

Checksum

(MD5):67ac6caa95ad043e04b174e583791085