InAs MOS devices passivated with molecular beam epitaxy-grown Gd2O3 dielectrics

Resource
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 30(2), 02B118
Journal
Journal of Vacuum Science & Technology B Nanotechnology and Microelectronics Materials Processing Measurement and Phenomena
Pages
02B118
Date Issued
2012
Date
2012
Author(s)
Lin, C.A.
Huang, M.L.
Chiu, P.-C.
Lin, H.-K.
Chyi, J.-I.
Chiang, T.H.
Lee, W.C.
Chang, Y.C.
Chang, Y.H.
Brown, G.J.
Kwo, J.
DOI
URI
SDGs

[SDGs]SDG7

Type
journal article
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To permanently archive and promote researcher profiles and scholarly works, Library integrates the services of “NTU Repository” with “Academic Hub” to form NTU Scholars.

總館學科館員 (Main Library)
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