Syntheses and characterizations of gallium arsenide nanowires and carbon nanohelices doped with silicon nanocrystals
Date Issued
2005
Date
2005
Author(s)
Liu, Chung-Chan
DOI
zh-TW
Abstract
本論文分為兩大部分，第一部分將利用加熱蒸鍍 (thermal evaporation) 的方法，合成砷化鎵半導體奈米線，藉由改變溫度、壓力與攜帶氣體的比例等變因，來觀察對於合成的結果有何影響，試圖最佳化砷化鎵奈米線的合成品質。利用特定大小的奈米金屬做為催化劑，來控制合成的砷化鎵奈米線的直徑。這些奈米線配合專門的壓電極與量測電流的儀器，我們可以進行單根的電流電壓量測，提供將來電性上的應用空間。為了鑑定奈米線合成的品質好壞，論文中並且進行了一系列電子顯微鏡、元素分析、X-光繞射與電子繞射圖譜的分析，確定了奈米線的結構屬於砷化鎵zinc-blende的單晶結構。
第二部分則利用化學氣相沉積法 (chemical vapor deposition) 的方式，改進過去合成碳奈米螺旋線繩 (carbon helical nanowires) 的例子，合成出碳奈米螺旋線內摻雜矽奈米顆粒。為了比較與過去的差異，鑑定矽奈米顆粒的結晶情形，也觀察了其電子顯微影像與選區電子繞射圖譜 (selected area electron diffraction, SAED) 等分析過程。同時探討了合成過程各種條件，對於這些奈米螺旋線的影響。
Subjects
砷化鎵
奈米線
碳奈米螺旋
矽奈米顆粒
GaAs
gallium arsenide
nanowires
carbon nanohelices
silicon nanocrystals
Type
thesis
File(s)![Thumbnail Image]()
Loading...
Name
ntu-94-R92223077-1.pdf
Size
23.31 KB
Format
Adobe PDF
Checksum
(MD5):90e63bc7d07bbcf673d13341544611c3