Ge Quantum Dot Infrared Photodetector with Schottky Barrier to Block Dark Current

Author(s)

謝明振

DOI

20060927122809554501

URI

Abstract

利用S-K 的長晶方法我們可以在p 型矽(100)的基板上成長自我行成的鍺量子點，且已經在自我行成之鍺量子點結構中發現內部能階之間的躍遷。我們的量子點結構是利用金屬有機化學氣相沉積法來成長的，且包含20 層的鍺量子點結構。量子點結構可透過TEM 影像及光激發頻譜來加以證實。

Publisher

臺北市:國立臺灣大學電機工程學系

Type

thesis

File(s)

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00000000000000000002.pdf

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(MD5):8eab8b0c94f35b812bf73e9e68ff2c69