高頻通信用射頻濾波器的研發(2/3)

本計畫擬開發適用於ISM2.4 頻帶的高頻
的帶通濾波器，為使開發的濾波器能具有與
RFIC 整合的潛力，所以選用薄膜型式的塊體
波濾波器(BAW filter)。為決定電極間隔必須
先求得壓電平板內波傳的頻譜。在第一期計
畫中已發展出求取在不同邊界條件下壓電平
板波傳頻譜及相對應的模態的方法，此法適
用於所有Limiting group 具對稱性與
Point group 具對稱性的壓電平板。此外
並採用射頻濺鍍成長出氮化鋁(AlN)壓電薄
膜，由X-ray 繞射的結果發現所製備之AlN
壓電薄膜具C 軸結構，因此可滿足製作塊體
波濾波器的需求。
∞mm
6mm
在以壓電薄膜製作濾波器時，電極的厚
度約較壓電薄膜厚度小一個數量級，因此效
應應加以考慮。電極所產生的效應以兩種模
式考慮，對於很薄的電極只需以慣性力效應
近似;而相對較後的電極，則必須完整考慮
電極之慣性與彈性效應。利用求得的頻散曲
線與相對應的波動場形，即可設計出符合規
格的濾波器。在製作濾波器方面，本期計畫已完成濾
波器的設計，並將利用氮化鋁(AlN)壓電薄膜
試製原型。