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  4. 高頻通信用射頻濾波器的研發(2/3)
 
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高頻通信用射頻濾波器的研發(2/3)

Date Issued
2004
Date
2004
Author(s)
周元昉
DOI
922212E002017
URI
http://ntur.lib.ntu.edu.tw//handle/246246/15882
Abstract
本計畫擬開發適用於ISM2.4 頻帶的高頻 的帶通濾波器,為使開發的濾波器能具有與 RFIC 整合的潛力,所以選用薄膜型式的塊體 波濾波器(BAW filter)。為決定電極間隔必須 先求得壓電平板內波傳的頻譜。在第一期計 畫中已發展出求取在不同邊界條件下壓電平 板波傳頻譜及相對應的模態的方法,此法適 用於所有Limiting group 具對稱性與 Point group 具對稱性的壓電平板。此外 並採用射頻濺鍍成長出氮化鋁(AlN)壓電薄 膜,由X-ray 繞射的結果發現所製備之AlN 壓電薄膜具C 軸結構,因此可滿足製作塊體 波濾波器的需求。 ∞mm 6mm 在以壓電薄膜製作濾波器時,電極的厚 度約較壓電薄膜厚度小一個數量級,因此效 應應加以考慮。電極所產生的效應以兩種模 式考慮,對於很薄的電極只需以慣性力效應 近似;而相對較後的電極,則必須完整考慮 電極之慣性與彈性效應。利用求得的頻散曲 線與相對應的波動場形,即可設計出符合規 格的濾波器。在製作濾波器方面,本期計畫已完成濾 波器的設計,並將利用氮化鋁(AlN)壓電薄膜 試製原型。
Subjects
濾波器
塊體波
頻譜
壓電
薄
膜
Publisher
臺北市:國立臺灣大學機械工程學系暨研究所
Type
report
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922212E002017.pdf

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