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College of Engineering / 工學院
Materials Science and Engineering / 材料科學與工程學系
納米鉬∕陶瓷基複合材料經由MOCVD法之製備，成長模擬及特性分析(2/2)
Details
納米鉬∕陶瓷基複合材料經由MOCVD法之製備，成長模擬及特性分析(2/2)
Date Issued
2000
Date
2000
Author(s)
韋文誠
DOI
892216E002001
URI
http://ntur.lib.ntu.edu.tw//handle/246246/12364
Abstract
本研究利用MOCVD 與流體化床技術，製備出以納米級鉬或碳化鉻顆粒為第二強化相之氧化鋁基複合材料。主要是以氣相沈積之方式將第二相蒸鍍於基材氧化鋁顆粒上，將第二相尺寸大小控制在納米級範圍，主要著眼於複合材料機械性質之改善，包括硬度、 強度及韌性等。本篇報導主要在探討碳化鉻/氧化鋁複合材料之性質，並利用碳化鉻及氧化鉻（Cr2O3）粉末的生胚 compact）之高溫氧化和昇華反應作為佐證比較，最後並討論其於高溫下所主導之反應機制。
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Subjects
納米
碳化鉻
氧化鋁
複合材料
細晶強化
氧化
昇華
Publisher
臺北市：國立臺灣大學材料科學與工程學研究所
Type
report
File(s)
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Name
892216E002001.pdf
Size
316.97 KB
Format
Adobe PDF
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(MD5):9df049ff72d671186db93046c13fc559
