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College of Electrical Engineering and Computer Science / 電機資訊學院
Communication Engineering / 電信工程學研究所
Design of Reducing TSV-to-Device Coupling Noise Using Metal Layers
Details
Design of Reducing TSV-to-Device Coupling Noise Using Metal Layers
Date Issued
2014
Date
2014
Author(s)
Kang, Ming-Kai
URI
http://ntur.lib.ntu.edu.tw//handle/246246/264250
Abstract
三維積體電路使用直通矽晶連通柱作為電氣連結，而訊號通過直通矽晶連通柱時，對其他直通矽晶連通柱和周遭的電路造成雜訊擾動，因此，減低雜訊擾動是一項重要的議題。 本論文提出使用金屬層用以降低直通矽晶連通柱對元件的耦合雜訊，對於不同的直通矽晶連通柱至元件的距離、不同的金屬層覆蓋比例以及不同的鄰近金屬層間距，觀察其耦合雜訊的變化。 耦合雜訊對於元件的基板電壓之擾動，造成元件的基板效應，從而對臨界電壓造成影響。本論文將耦合雜訊造成的元件基板電壓改變，求得因基板效應所造成之飽和區電流變動百分比。 最後提出設計曲線，可以確定飽和區電流變動百分比以及金屬層覆蓋比例，選擇適當的直通矽晶連通柱至元件的距離及鄰近金屬層間距。
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Subjects
基板效應
三維積體電路
直通矽晶連通柱
Type
thesis
File(s)
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Name
ntu-103-R01942001-1.pdf
Size
23.32 KB
Format
Adobe PDF
Checksum
(MD5):4a9b65935355ceff58bc756d9adf6b38
