Ge Quantum-dot LED for 1.3-1.5μm Emission Wavelength
Date Issued
2003
Date
2003
Author(s)
許誌雄
DOI
20060927122808617881
Abstract
在本研究中,報告了室溫操作且發光波長在1.3-1.5微米之多層鍺量子點發光二極體。
本論文主要包含了兩個系列的實驗,一者在探討鍺量子點層數對多層鍺量子點發光二極體特性
的影響,另一個則在探討由熱所引起的材料混雜效應對於鍺量子點發光二極體特性的影響,特別
是在發光頻譜的變化,因為我們利用此一影響來微調鍺量子點發光二極體的發光波長。
藉由分析不同層數之鍺量子點發光二極體的實驗結果,我們歸納了層數對多層鍺量子點發光二
極體特性所造成的影響,當此一發光二極體的鍺量子點層數增加,量子效率、頻譜半寬隨之增加,
發光波長漸往短波長移動,發光頻譜中來自矽的發光之比例減少了。並且我們也提出一個可能的
機制,此機制以少量載子電子擴散長度的溫度變化為基礎,來解釋造成其中一些影響的原因,特
別是不同層數元件發光頻譜對溫度的變化。
本論文主要包含了兩個系列的實驗,一者在探討鍺量子點層數對多層鍺量子點發光二極體特性
的影響,另一個則在探討由熱所引起的材料混雜效應對於鍺量子點發光二極體特性的影響,特別
是在發光頻譜的變化,因為我們利用此一影響來微調鍺量子點發光二極體的發光波長。
藉由分析不同層數之鍺量子點發光二極體的實驗結果,我們歸納了層數對多層鍺量子點發光二
極體特性所造成的影響,當此一發光二極體的鍺量子點層數增加,量子效率、頻譜半寬隨之增加,
發光波長漸往短波長移動,發光頻譜中來自矽的發光之比例減少了。並且我們也提出一個可能的
機制,此機制以少量載子電子擴散長度的溫度變化為基礎,來解釋造成其中一些影響的原因,特
別是不同層數元件發光頻譜對溫度的變化。
Publisher
臺北市:國立臺灣大學電機工程學系
Type
thesis
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