Unstrained In0.3 Ga0.7 As/In0.29 Al0.71 As Resonant Tunneling Diodes Grown on GaAs

Resource
Electronics Letters
Journal
Electronics Letters
Pages
-
Date Issued
1993
Date
1993
Author(s)
Yang, Seng-Jenn
URI
Type
journal article

臺大位居世界頂尖大學之列，為永久珍藏及向國際展現本校豐碩的研究成果及學術能量，圖書館整合機構典藏（NTUR）與學術庫（AH）不同功能平台，成為臺大學術典藏NTU scholars。期能整合研究能量、促進交流合作、保存學術產出、推廣研究成果。

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