SiGe HBT Low Noise Amplifier for 802.11a Wireless LAN Applications
Author(s)
華偉君
DOI
20060927122809273719
Abstract
低雜訊放大器 (Low Noise Amplifier, LNA) 在日益蓬勃發展的射頻無線通訊應用上,
可以說是不可或缺的一環,因為低雜訊大器位處射頻收發器電路的最前端, 用於放大所接收
之微弱射頻訊號。在一個由數個放大器串接的系統中,其雜訊指數(Noise Figure) 幾乎由第
一級的放大器所決定,因此如何有效降低低雜訊大器之雜訊指數以提升射頻收發器電路之接
收效能亦是射頻收發器設計的重要課題。現今之高效能低雜訊放大器多以砷化鎵(GaAs) 為基
材製造, 其缺點為成本較高且難與矽製程整合。雖然 CMOS 製程亦具有與其他射頻電路區塊
整合的優勢,但欲達到與SiGe HBT 相同之電路效能,仍需要較昂貴先進的製程(0.35μm SiGe
BiCMOS v.s. 0.18μm CMOS)。本電路選擇以CIC 所提供與矽製程相容的 TSMC SiGe 0.35μm
BiCMOS製程以期能以相對較低廉的價格以及可接受的效能來取代以三五族化合物半導體所製
造之低雜訊放大器。
Publisher
臺北市:國立臺灣大學電機工程學系
Type
thesis
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0000000000000000002.pdf
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(MD5):efa2fdfea6c3b372ac4b9715fbf71523
