以次大氣壓化學氣相沉積法成長低應力氧化矽薄膜進行深溝槽填補及在微機電系統之應用

Date Issued
2004-07-31
Date
2004-07-31
Author(s)
張建六
DOI
922218E002058
URI
Abstract
沈積法（Inductively Coupled Plasma- Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, ICP PECVD）沈積的氧化 層可以當作封裝的一個材料。在本研究 當中，也會探討在PECVD中加入Ar離子 進行撞擊和外加磁場對填補能力的影 響。因為PECVD和SACVD都是在低溫中進 行，因此可以得到較低的熱殘留應力 （85MPa的低壓縮應力薄膜）
Publisher
臺北市：國立臺灣大學生物產業機電工程學系暨研究所
Type
report
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922218E002058.pdf

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