光電材料表面/介面電子能階特性之研究(1/2)
Date Issued
2005-07-31
Date
2005-07-31
Author(s)
DOI
932120M002013
Abstract
本研究計畫為新進人員研究計畫，執行期間為兩年，在第一年，我們用最短
的時間提前完成了超高真空表面分析系統的建構，並且在此超高真空系統裏裝置了
一組X光電子能譜偵測儀(X-ray photoemission spectroscopy, XPS) 和一組Auger 電子能
譜偵測儀(Auger electron spectroscopy, AES)。我們使用X光電子能譜偵測儀來研究有
機發光半導體與氮化鎵光電半導體在表面與介面的化學反應與電子能階結構，並藉
由Auger電子能譜偵測儀來判定有機材料與氮化鎵材料的表面原子組成成份。藉由
這些電子能譜偵測儀，我們開始著手研究有機光電半導體和氮化鎵光電半導體的表
面分析和介面的性質。在有機發光半導體材料方面，我們成功的測量出數種新的藍
光發光二極體材料的電子能階結構，這些結果，可以用于改善有機發光二極體的操
作電壓和發光效率。在氮化鎵光電半導體材料部分，我們使用氧化銦錫與鎳、金合
金來當作金屬與氮化鎵半導體的介面，可以改善氮化鎵發光二極體之透光率。
在過去一年，根據本研究計畫的執行成果，我們已在國際著名的期刊雜誌
Applied Physics Letter 發表了一篇研究論文，並且受邀在國際顯示器技術研討會
(International Display Manufacturing Conference 2005) 發表研究成果。
預計在第二年，我們將在此超高真空表面分析系統之中裝置二組新的電子能
譜偵測儀: 紫外光電子能譜偵測儀(Ultraviolt Photoemission Spectrascopy, UPS) 以及反
轉式電子能譜偵測儀(Inverse Photoemission 你Spectroscopy) 。完成之後，此系統將
是國內唯一一套同時具有正向和反轉式光電子能譜偵測儀的表面分析系統。我們將
利用此正向和反轉式光電子能譜偵測儀同時來研究電子和電洞在有機光電半導體和
氮化鎵光電半導體之間的傳輸過程，經由對電子與電洞能量結構的了解，我們可以
將這些研究成果直接應用於光電元件的發光效率改善。
Publisher
臺北市：國立臺灣大學光電工程學研究所
Type
report
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932120M002013.pdf
Size
624.51 KB
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