The Study of Laser Diode Process

Date Issued
2005
Date
2005
Author(s)
Chen, Kuan-Ming
DOI
zh-TW
URI
Abstract
從二十世紀初，許多重要的半導體製程技術陸續被開發出來；同時，隨著自動化工業技術的日趨成熟，不僅改善製程元件的可靠度，亦把半導體工業也帶入了另一個紀元。然而，所有的製程技術的發展通常多著墨於矽半導體的材料特性的研究；近幾年來，國內光電產業的產值逐年急遽增加，關於化合物半導體特性的研究才陸續被深入探討與研究。 半導體工業的持續成長，製程成本與研發經費的控管扮演著一個關鍵性的角色，然而雷射二極體元件的生產良率卻因III－V族化合物材料製程技術不穩定而無法提升，不僅增加了製造成本，也間接降低了企業的競爭力。本論文的研究目的係為有效地提高雷射二極體元件可靠度，並以III－V族化合物材料成分組成的垂直共振腔面射型雷射元件作為研究對象，將特別針對雷射二極體元件基本結構及運作原理，進行個別的製程研究與探討，期以能提供相關的結果與經驗，運用在各類雷射二極體元件的製作。
Subjects
雷射二極體
離子佈植
鋅擴散
選擇性水氧化
ion implantation
Laser diode
znic diffusion
oxidation
Type
thesis
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