III-V compound semiconductor MOSFETs using Ga/sub 2/O/sub 3/(Gd/sub 2/O/sub 3/) as gate dielectric

Journal
19th Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium, 1997
Pages
18-21
Date Issued
1997
Author(s)
Ren, F
Kuo, JM
Hobson, WS
Lothian, JR
Tsai, HS
Lin, J
Mannaerts, JP
Kwo, J
Chu, SNG
others
URI
Type
conference paper

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