總計畫：高效能類比積體電路之研製 子計畫一：60 GHz CMOS 高效能無線前端積體電路(1/3)
Date Issued
2004-07-31
Date
2004-07-31
Author(s)
DOI
922220E002015
Abstract
近年來由於無線通訊帶給人們便利
的生活，然而由於與日俱增的需求，頻
寬已漸不敷使用，所以無線通訊逐漸移
向更高頻率。自90 年代中期起，互補式
金氧半電晶體(CMOS Transistor)已被提
出可應用在射頻積體電路的設計上，但
目前許多高頻率的射頻積體電路設計，
大多仍使用高成本的製程，例如:InP
HEMT、GaAs pHEMT、III-V HBT…等，而
互補式金氧半電晶體在射頻積體電路的
研究與設計，大部分都集中在10 GHz 以
下的頻率範圍。因此，對於互補式金氧
半電晶體是否可以應用在60 GHz 這個
不需要使用執照的工業、科學、醫學頻
段(ISM band)或更高的頻率的收發器製
作，是一個很值得研究的題目。因為互
補式金氧半電晶體是目前被工業界使用
最廣泛的半導體技術，它的製作成本及
電路整合的優點仍是其他半導體技術所
不及的。60 GHz 這個頻段的電路開發已
經有不少研究機構投入，例如：Georgia
Institute of Technology 與 IBM 合作
使用 IBM 開發出來的0.13μm SiGe
8HP，來發展60 GHz 無線區域網路的射
頻積體電路； Berkeley Wireless
Research Center 從2001 年起成立60
GHz Research Team。相信陸續會有更多
研究機構會投入60 GHz 無線網路積體
電路研發。
Publisher
臺北市：國立臺灣大學電子工程學研究所
Type
report
File(s)![Thumbnail Image]()
Loading...
Name
922220E002015.pdf
Size
308.58 KB
Format
Adobe PDF
Checksum
(MD5):2f1abba7f24796896543c040e2dae367