利用快速脈衝雷射蒸鍍法成長氧化鋅薄膜

Date Issued
2004
Date
2004
Author(s)
蘇俊聰
DOI
zh-TW
URI
Abstract
我們利用快速脈衝雷射蒸鍍法（Fast Pulsed Laser Deposition,簡稱FPLD），以氧化鋁（0001）為基板，在其上成長氧化鋅（0001）的單晶薄膜。快速脈衝雷射蒸鍍法使用diode pumped solid-state laser以蒸鍍氧化鋅靶材，並輔以RF atom source補充原子氧。 我們利用X-ray測量結晶品質，氧化鋅(0002)的High resolution rocking curve 可達100 arcsec及ω-scan為 10 arcsec。原子力顯微鏡(AFM)顯示表面粗糙度約為1 nm及結晶區域(grain)約 300 nm×300 nm。其PL光譜顯示出幾乎沒有綠光的缺陷，在10 K時donor-bound exciton的光譜線半高寬可在5 meV以下，並且可看到釵h的精細結構。其霍爾效應量測證明氧化鋅薄膜為n-type，在室溫時，載子濃度約1×1017 cm-3，mobility為30 cm2/Vs。
Subjects
氧化鋅
脈衝雷射蒸鍍
pulsed laser deposition
ZnO
PLD
Type
thesis
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Name

ntu-93-R91222032-1.pdf

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