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College of Electrical Engineering and Computer Science / 電機資訊學院
Electronics Engineering / 電子工程學研究所
Study and Fabrication of SiGe Quantum Dots Memory Device and arrays
Details
Study and Fabrication of SiGe Quantum Dots Memory Device and arrays
Date Issued
2005-07-31
Date
2005-07-31
Author(s)
管傑雄
DOI
932215E002015
URI
http://ntur.lib.ntu.edu.tw//handle/246246/20042
Abstract
今日MOSFET 已經佔有超過88%的 IC 市場比例；原因是MOSFET 能縮小到 比其它形式的元件更小的尺寸，使其成為 IC 的主要元件。當單電子的電晶體，其以 量子效應取代古典電荷的傳輸原理。在 此，量子效應的穿隧將單一電子的量化電 荷規則化。 目前記憶體元件之特性乃是利用將 電子儲存於浮動閘極中，藉由臨界電壓的 位移來判別記憶與否。由於微影、膠體化 學與磊晶成長的進步，本計畫擬採用半導 體或金屬材料來製作量子點，並藉由量子 點可儲存電子的特性來取代浮動閘極，達 到應用於記憶體元件的目標。 本計畫分三階段進行，第一階段主要 目摽為量子點製程，製作MOS 結構以作 電容、電流等電性量測；第二階段為製程 記憶體元件，對其做電性及可靠度等相關 記憶元件特性的量測；第三階段為製作 EEPROM，並做電性及光電特性的量測。
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Subjects
量子點
單電子記憶體
奈米結構
Publisher
臺北市：國立臺灣大學電子工程學研究所
Type
report
File(s)
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Name
932215E002015.pdf
Size
120.67 KB
Format
Adobe PDF
Checksum
(MD5):919eee8f32fc7402d8ef557fb08255b9
