A Study on the Growth of ZnTe Quantum Dots on GaAs Substrate

Date Issued
2005
Date
2005
Author(s)
Jan, Yau-Cheng
DOI
zh-TW
URI
Abstract
本論文主要是利用有機金屬化學氣相沈積法(MOCVD)成長量子點的實驗，在確定磊晶參數，和成長速率後，在GaAs基板上成長以ZnS為包覆層的ZnTe量子點。 利用高解析度掃瞄式電子顯微鏡(HRSEM)去看我們的樣品中是否有量子點的存在於表面上。 接者在利用光致激發光譜(PL)量測我們的樣品，發現我們剛成長好的樣品發光強度會隨著時間decay，可能是因為剛長好的樣品中defects太多所以會有這樣的結果，後來也做了好幾次的分析，我們也發現會有不同的結果。 也利用陰極螢光光譜量測(CL)去量測我們的樣品，我們可以看到在CL的量測中，看到在PL量測中看不到的現象，同時知道defects對我們樣品的影響確實存在。
Subjects
碲化鋅量子點
陰極螢光光譜量測
光致激發光譜量測
ZnTe Quantum Dots
Photoluminescence
Cathodoluminescence
Type
thesis
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ntu-94-R90222051-1.pdf

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