The research of ohmic contact and specific contact resistance on p-GaN
Date Issued
2005
Date
2005
Author(s)
Chen, Ming-Lei
DOI
zh-TW
Abstract
摘 要
在本論文中，我們將比較使用傳統的鎳/金(Ni/Au)和氧化鋅摻雜
鎵(ZnO:Ga)以及Ni/Au/ZnO:Ga作為p型氮化鎵( p-GaN)的陽極接觸端
之特徵接觸阻抗和穿透率的大小，利用所觀測之電流-電壓( I-V )
的特性曲線來判別所鍍之陽極材料與p-GaN間為歐姆接觸或蕭基接
觸，並利用傳輸線模型法(TLM)來求得特徵接觸阻抗。
發現Ni/Au和Ni/Au/ZnO:Ga之薄層能與p-GaN形成完美的歐姆接
觸，而Ni/Au薄層的厚度為200Å/200Å時，其特徵接觸阻抗在氮氣環境中經過600℃退火5分鐘後可以達到約2×10-3Ω㎝2，而Ni/Au/ZnO:Ga厚度為50Å/50Å/1000Å時，其特徵接觸阻抗在氮氣環境中經過600℃退火5分鐘後可以達到約1.7×10-2Ω㎝2，雖然比起Ni/Au薄層差了將近一個數量級，不過對於波長470nm的光之穿透率，Ni/Au/ZnO:Ga薄層卻高了15％左右，而ZnO:Ga薄膜厚度約1500Å時，與p-GaN間並不能形成完美的歐姆接觸，發現經過800℃退火1分30秒後可以達到最接近歐姆接觸，其特徵接觸阻抗約6×10-2Ω㎝2，比起Ni/Au和Ni/Au/ZnO:Ga之薄層都還要高，然而其對於波長470nm的光之穿透率卻高達約93％，比之前面二者都高出許多。
Subjects
氮化鎵
氧化鋅摻雜鎵
傳輸線模型法
特徵接觸阻抗
穿透率
GaN
ZnO:Ga
Transmission line method
specific contact resistance
transmission
Type
thesis
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