室溫操作的InAs/GaAs 量子點紅外線偵測器

Author(s)
洪政先
DOI
20060927122810164596
URI
Abstract
在過去幾年，因為國防和商業的用途發展，AlGaAs/GaAs 量子井紅外線偵測 器和InAs/GaAs量子點紅外線偵測器已經被廣泛的研究。AlGaAs/GaAs 量子井紅 外線偵測器最高僅能夠操作在100K 左右。InAs/GaAs 量子點紅外線偵測器最吸 引人的地方為可以偵測中遠紅外線和其高溫操作的表現。本實驗室利用高能障差 的材料(Al0.3Ga0.7As)作為量子點偵測器的電流阻擋層，使其能夠在高溫(≧250K) 下操作在2.5-7μm範圍。
Publisher
臺北市:國立臺灣大學電機工程學系
Type
thesis
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