https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/120573
標題: | 氮化銦薄膜之分子束磊晶成長及其光學和電特性 InN Thin Film Grown by MBE andt’s Optical and Electrical Properties |
作者: | 廖盈傑 Liao, Ying-Chieh |
關鍵字: | 氮化銦;分子束磊晶;X-ray光電子譜;X-ray吸收譜;光學吸收譜;拉曼;InN;MBE;XPS;PL;Raman;NEXAFS | 公開日期: | 2009 | 摘要: | 氮化銦是現今的三五族半導體材料中最具吸引力的化合物.由於它的能隙為0.7eV,使的三五族材料在太陽能應用上能囊括從紫外光波段區到紅外光波段區的光.這對於太陽能的效能有很大的改善.我們利用分子束磊晶來成長氮化銦.其中,電漿槍的瓦數對氮化銦的電性(如:載子濃度,遷移速度)有極大的影響.這部份的原因來自於氮離子,我們能從電漿槍的放射光譜發現氮離子會跟隨瓦數而作相對應的變化.而從X-ray光電子譜也能看出氮離子所造成的點缺陷.另外,從光激發螢光實驗,氮化銦的能隙會隨著五三比的不同而有變化.這部份原因來自於銦的群聚現象.我們同時也用X-ray吸收譜,光學吸收譜,拉曼來量測. InN is the most promising material of nitride-based semiconductors. In this thesis, we use the molecular beam epitaxy(MBE) system to grow InN. The InN’s electrical and optical properties is improved by the plasma gun power variation. The possible reason is due to the nitrogen ion which is confirmed by the optical spectrum and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). Besides, the photoluminescence(PL) is different by the V/III ratio which is due to the In cluster. The near edge X-ray absorption fine spectroscopy (NEXAFS), absorption ,and Raman has been used to measure. |
URI: | http://ntur.lib.ntu.edu.tw//handle/246246/188465 |
顯示於: | 光電工程學研究所 |
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