https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/150489
標題: | Dramatic Reduction of the Gate Oxide Leakage Currents in MOS Structures by Irradiation-Then-Anneal Treatments | 作者: | 胡振國 Lin, J. J. Hwu, Jenn-Gwo |
公開日期: | 1990 | 起(迄)頁: | 401-404 | 來源出版物: | Proceedings of International Electronic Devices and Materials Symposium | URI: | http://ntur.lib.ntu.edu.tw//handle/246246/154310 |
顯示於: | 電機工程學系 |
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