Study and Fabrication of SiGe Quantum Dots Memory Device and arrays

今日MOSFET 已經佔有超過88%的
IC 市場比例；原因是MOSFET 能縮小到
比其它形式的元件更小的尺寸，使其成為
IC 的主要元件。當單電子的電晶體，其以
量子效應取代古典電荷的傳輸原理。在
此，量子效應的穿隧將單一電子的量化電
荷規則化。
目前記憶體元件之特性乃是利用將
電子儲存於浮動閘極中，藉由臨界電壓的
位移來判別記憶與否。由於微影、膠體化
學與磊晶成長的進步，本計畫擬採用半導
體或金屬材料來製作量子點，並藉由量子
點可儲存電子的特性來取代浮動閘極，達
到應用於記憶體元件的目標。
本計畫分三階段進行，第一階段主要
目摽為量子點製程，製作MOS 結構以作
電容、電流等電性量測；第二階段為製程
記憶體元件，對其做電性及可靠度等相關
記憶元件特性的量測；第三階段為製作
EEPROM，並做電性及光電特性的量測。