dc.relation.reference | 1.1 W. Xie, D.C.Grillo, R.L.Gunshor, M. Kobayashi, H. Jeon, J. Ding, A.V. Nurmikko, G. C. Hua and N. Otsuka, Appl. Phys. Lett. 60, 1999 (1992).
1.2 K. Koga and T. Yamaguchi, Prog. Cryst. Growth Charact, 23, 127 (1991).
1.3 S. Nakamura, S. Mukai T. and Senoh M., 1994a, Appl. Phys. Lett., 64, 1687 (1994).
1.4 H. Amano, M. Kitoh, K. Hiramatsu, and I. Akasaki, 1990a, Gallium Arsnide and Related Compounds, (eds) Ikoma, T., Watanabe, H., Bristol, UKIOP, 725 (1989).
1.5 I. Akasaki, H. Amano, Y. Koide, K. Hiramatsu, and N. Sawaki, J. Cryst. Growth, 89, 209 (1989).
1.6 CIR Reports: High Brightness-LED Applications – What Customers Want: A Five-Year Forecast of OEM Buyer Requirements (2003).
1.7 Y. Narugawa, Y. Kawakami, M. Funato, S. Fujita, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 70, 981 (1997).
1.8 Y. S. Lin, K. J. Ma, C. Hsu, S. W. Feng, Y. C. Cheng, C. C. Liao, C. C. Yang, C. C. Chou, C. M. Lee and J. I. Chyi, Appl. Phys. Lett. 77, 2988 (2000).
1.9 K. Tachibana, T. Someya, and Y. Arakawa, Appl. Phys. Lett. 74, 383 (1999).
1.10 J. Tersoff, Phys. Rev. Lett. 81, 3183 (1998).
1.11 R. Singh, D. Doppalapudi, T. D. Moustakas, and L. T. Romano, Appl. Phys. Lett. 70, 1089 (1997).
1.12 I. H. Ho and G. B. Stringfellow, Appl. Phys. Lett. 69, 2701 (1996).
1.13 M. K. Behbehani, E. L. Piner, S. X. Liu, N. A. El-Masry, and S. M. Bedair, Appl. Phys. Lett. 75. 2002 (1998).
1.14 M. D. McCluskey, L. T. Romano, B. S. Krusor, D. P. Bour, N. M. Johnson, and S. Brennan, Appl. Phys. Lett. 72, 1730 (1999).
1.15 K. Hiramatsu, Y. Kawaguchi, M. Shimizu, N. Sawaki, T. Zheleva, Robert F. Davis, H. Tsuda, W. Taki, N. Juwano, and K. Oki, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 2, 6 (1997).
1.16 M. Hao, H. Ishikawa, T. Egawa, C. L. Shao, and T. Jimbo, Appl. Phys. Lett., 82, 4702 (2003).
1.17 N. Grandjean, J. Massies, S. Dalmasso, P. Vennéguès, L. Siozade, and L. Hirsch, Appl. Phys. Lett. 74, 3616 (1999).
1.18 Y. Narukawa, Y. Kawakami, M. Funato, S. Fujita, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 70, 981 (1997).
1.19 Koichi Tachibana, Takako Someya, Yasuhiko Arakawa, Ralph Werner and Alfred Forchel, Appl. Phys. Lett. 75, 2605 (1999).
1.20 Hideki Hirayama, Satoru Tanaka, Peter Ramvall, and Yoshinobu Aoyagi, Appl. Phys. Lett. 72, 1736 (1998).
1.21 I. Ho and G. B. Stringhellow, Appl. Phys. Lett. 69, 2701 (1996)
1.22 R. Singh, D. Dappalapudi, T. D. Maussakas, and L. T. Romano, Appl. Phys. Lett. 70, 1089 (1997).
1.23 M . D. Mceluskey, L. T. Romano, B. S. Krusar, D. P. Baur, and W. M. Johsan, Appl. Phys. Lett. 72, 1730 (1998).
1.24 S. F. Chichibu, K. Wada, J. Miillha¨user, O. Brandt, K. H. Ploog, T. Mizutani, A. Setoguchi, Rnakai, M. Sugigama, H. Nakamichi, K. Kori, T. Deguchi, T. Sota, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 76, 1971 (2000).
1.25 S. Nakamura, S. Pearton and G. Fasol, The Blue Laser Diode, 2nd Edition (Springer, Berlin, 2000).
1.26 S. Nakamura, Science, 281, 956 (1998).
1.27 Y. H. Cho, G. H. Gainer, A. J. Fischer, J. J. Song, S. Keller, U. K. Mishra and S. P. DenBaars, Appl. Pys. Lett. 73, 1370 (1998).
1.28 P. G. Eliseev, P. Perlin, J. Lee and M. Osinski, Appl. Phys. Lett. 71, 569 (1997).
1.29 J. W. Christian, The Theory of Transformations in Metals and Alloys (Peragmon Press, 1975).
1.30 Y. S. Lin, Ph. D. Thesis (2002).
1.31 N. A El-Masry, . L. Piner, S. X. Liu, and S. M. Bedair, Appl. Phys. Lett. 72, 40 (1998).
1.32 S. Yu. Karpove, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 3, 16 (1998).
1.33 S. Pereira, M. R. Correia, E. Pereira, K. P. O’Donnell, C. Trager- Cowan, F. Sweeney, and E. Alves, Phys. Rev. B 64, 205311 (2001).
1.34 S. Pereira, M. R. Correia, E. Pereira, K. P. O’Donnell, E. Alves, A. D. Sequeira, N. Franco, I. M. Watson, and C. J. Deatcher, Appl. Phys. Lett. 80, 3913 (2002).
1.35 Carol Tragger-Cowan, J-F Treguer, S. T. F. Grimson, I. Osborne and M. Barisonzi, Inst. Phys. Conf. Ser. 161: Section 3, 91 (1999).
1.36 C. K. Sun, Appl. Phys. Lett. 69, 1936 (1996).
1.37 C. J. Sun, J. W. Yang, Q. Chen, B. W. Lim, M. Zubair Anwar, and M. A. Khan, Appl. Phys. Lett. 69, 668 (1996).
1.38 S. Chichibu, T. Azuhata, and T. Sota, Appl. Phys. Lett. 69, 4188 (1996).
1.39 S. Chichibu, K. Wada, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 71, 2346 (1997).
1.40 S. Nakamura and S. Chichibu, Introduction to Nitride Semiconductor Blue Lasers and Light Emitting Diodes, p.67 ( Taylor & Francis, 2000).
1.41 S. Nakamura, Takashi Mukai and Masayuki Senoh, Jpn. J. Appl. Phys. 32, L16 (1993).
1.42 Sergei Ruvimov, Zuzanna Liliental-Weber, Tadeusz Suski, Joel W. Ager III, Jack Washburn, Joachim Krueger, Christian Kisielowski, Eicke R. Weber, H. Amano, and I. Akasaki, Appl. Phys. Lett. 69, 990 (1996).
1.43 Eunsoon Oh, Cheolsoo Sone, Okhyun Nam, Hyeongsoo Park, and Yongjo Park, Appl. Phys. Lett. 76, 3242 (2000).
1.44 Y. H. Cho, J. J. Song, S. Keller, M. S. Minsky, E. Hu, U. K. Mishra, S. P. DenBaars, Appl. Phys. Lett. 73, 1128 (1998).
1.45 T. Wang, H. Saeki, J. Bai, T. Shirahama, M. Lachab, S. Sakai, P. Eliseev, Appl. Phys. Lett. 76, 1737 (2000).
1.46 J. Dalfors, J. P. Bergman, P. O. Holts, B. E. Sernelius, B. Monemar, H. Amano, I. Akasaki, Appl. Phys. Lett. 74, 3299 (1999).
1.47 B. J. Pong, C. J. Pan, Y. C. Teng, G. C. Chi, W. H. Li, K. C. Lee, and C. H. Lee, J. Appl. Phys. 83, 5992 (1998).
1.48 T. M. Hsu, Y, S, Lan, W. H. Chang, N. T. Yeh, and J. I. Chyi, Appl. Phys. Lett. 76, 691 (2000).
1.49 Y. S. Lin, K. J. Ma, C. Hsu, Y. Y. Chung, C. W. Liu, S. W. Feng, Y. C. Cheng, C. C. Yang, M. H. Mao, H. W. Chuang, C. T. Kuo, J. S. Tsang, and Thomas E. Weirich, Appl. Phys. Lett. 80, 2571 (2002).
1.50 Y. Y. Chung, Y. S. Lin, S. W. Feng, Y. C. Cheng, E. C. Lin, C. C. Yang, K. J. Ma, C. Hsu, H. W. Chuang, C. T. Kuo, and J. S. Tsang, J. Appl. Phys, 93, 9693 (2003).
1.51 C. A. Parker, J. C. Roberts, S. M. Bedair, M. J. Reed, S. X. Liu, and N. A. El-Masry, Appl. Phys. Lett. 75, 2776 (1999).
2.1 W. Van der Stricht, I. Moerman, P. Demeester, L. Condidine, E. J. Thrush, and J. A. Crawley, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 2, 16 (1997).
2.2 H. P. D. Schenk, M. Leroux, and P. de Mierry, Appl. Phys. Lett. 88, 1525 (2000).
2.3 P. G. Eliseev, P. Perlin, J. Lee, and M. Osinski, Appl. Phys. Lett. 71, 569 (1997).
2.4 see, for example, S. W. Feng, Ph. D. Thesis (2003).
2.5 see, for example, Y. C. Cheng, C. H. Tseng, C. Hsu, K. J. Ma, S. W. Feng, E. C. Lin, C. C. Yang and J. I. Chyi, J. Elec. Mat. 32, 375 (2003).
2.6 L. Bergman, M. Dutta, M. A. Stroscio, S. M. Komirenko, R. J. Nemanich, C. J. Eiting, D. J. H. Lambert, H. K. Kwon and R. D. Dupuis, Appl. Phys. Lett. 76, 1969 (2000).
2.7 M. Leroux, N. Grandjean, B. Beaumont, G. Nataf, F. Semond, J. Massies, and P. Gibart, J. Appl. Phys. 86, 3721 (1999).
2.8 see, for example, Y. H. Cho, J. J. Song, S.. Keller, M. S. Minsky, E. Hu, U. K. Mishra, and S. P. DenBaars, Appl. Phys. Lett. 73, 1128 (1998).
2.9 S. W. Feng, T. Y. Tang, Y. C. Lu, S. J. Liu, E. C. Lin, C. C. Yang, K. J. Ma, C. H. Shen, L. C, Chen, K. H. Kim, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, J. Appl. Phys. 95, 5388 (2004).
2.10 B. Barry, Webb and E. W. Williams, Semiconductors and Semimetals, 8, chapter 4 (R. K. Williarson and A. C. Beer, editors, Academic Press, New York, 1972).
2.11 M. H. Crawford, J. Han, M. A. Myers, G. A. Petersen and J. J. Figiel, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 5S1, W11.41 (2000).
2.12 Carol Trager-Cowan, Spatially Resolved Cathodoluminescence Studies of Semiconductors, AndorTM Technology, 1, Issue 7, 1 (2000).
2.13 S. Myhajlenko, R.A. Puechner, J.L. Edwards and D.B. Davito, Can Photo- and Cathodoluminescence be Regarded as Complementay Techniques?, Proceeding of 13th Pfefferkorn Meeting on Luminescence, Niagra Falls, Canada (1994).
2.14 S. C. Bayliss, P. Demeester, I. Fletcher, R. W. Martin, P. G. Middleton, I. Moerman, K. P. O’Donnell, A. Sapelkin, C. Trager-Cowan, W. Van Der Stricht, and C. Young, Mat. Sci. Eng., B59, 292 (1999).
3.1 K. S. Kim, G. M. Yang, W. -H. Lee, Y. H. Song, J. W. Yang, C. -H. Hong, K. Y. Lim, H. J. Lee, H. K. Cho, and J. Y. Lee, Proc. Int. Workshop on Nitride Semicond., IPAP Conf. Series 1, 393 (2000).
3.2 S. W. Feng, E. C. Lin, T. Y. Tang, Y. C. Cheng, H. C. Wang, C. C. Yang, K. J. Ma, C. H. Shen, L. C. Chen, K. H. Kim, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, Appl. Phys. Lett. 83, 3906 (2003).
3.3 Carol Tragger-Cowan, J-F Treguer, S. T. F. Grimson, I. Osborne and M. Barisonzi, Inst. Phys. Conf. Ser. 161: Section 3, 91 (1999).
3.4 W. Van der Stricht, I. Moerman, P. Demeester, L. Condidine, E. J. Thrush, and J. A. Crawley, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 2, 16 (1997)
3.5 S. Pereira, M. R. Correia, E. Pereira, K. P. O’Donnell, C. Trager- Cowan, F. Sweeney, and E. Alves, Phys. Rev. B 64, 205311 (2001).
3.6 K. Hiramatsu, Y. Kawaguchi, M. Shimizu, N. Sawaki, T. Zheleva, Robert F. Davis, H. Tsuda, W. Taki, N. Juwano, and K. Oki, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 2, 6 (1997).
3.7 C. A. Parker, J. C. Roberts, S. M. Bedair, M. J. Reed, S. X. Liu, and N. A. El-Masry, Appl. Phys. Lett. 75, 2776 (1999).
3.8 K. Uchida, T. Tang. S. Goto, T. Mishima. A. Niwa and J. Gotoh, Appl. Phys. Lett. 74, 1153 (1999).
3.9 J.T. Kobayashi, N.P. Kobayashi, X. Zhang, P.D. Dapkus, and D.H. Rich, J. Crystal Growth 195, 252 (1998).
4.1 C. A. Parker, J. C. Roberts, S. M. Bedair, M. J. Reed, S. X. Liu, and N. A. El-Masry, Appl. Phys. Lett. 75, 2776 (1999).
4.2 M. J. Reed, N. A. El-Masry, C. A. Parker, J. C. Roberts, and S. M. Bedair, Appl. Phys. Lett. 77, 4121 (2000).
4.3 S. Pereira, M. R. Correia, E. Pereira, C. Trager-Cowan, F. Sweeney, K. P. O’Donnell, E. Alves, N. Franco, and A. D. Sequeira, Appl. Phys. Lett. 81, 1287 (2002).
4.4 Y. T. Moon, D. J. Kim, J. S. Park, J. T. Oh, J. M. Lee, Y. W. Ok, H. Kim, and S. J. Park, Appl. Phys. Lett. 79, 599 (2001).
4.5 W. Van der Stricht, I. Moerman, P. Demeester, L. Condidine, E. J. Thrush, and J. A. Crawley, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 2, 16 (1997).
4.6 S. W. Feng, T. Y. Tang, Y. C. Lu, S. J. Liu, E. C. Lin, C. C. Yang, K. J. Ma, C. H. Shen, L. C. Chen, K. H. Kim, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, J. Appl. Phys. 95, 5388 (2004). | en |