https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/294270
標題: | (AlxGa1-x)0.5In0.5P/ In0.15Ga0.85As (x=0, 0.3, 1.0) heterostructure doped-channel FETs for microwave power applications | 作者: | S. C. Yang H. C. Chiu Y.-J. Chan H. H. Lin J.-M. Kuo HAO-HSIUNG LIN |
公開日期: | 十二月-2001 | 卷: | 48 | 期: | 12 | 起(迄)頁: | 2906-2910 | 來源出版物: | IEEE Transactions on Electron Devicess | URI: | http://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/294270 |
顯示於: | 電機工程學系 |
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