https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/303208
標題: | High hole and electron field effect mobilities in nanocrystalline silicon deposited at 150 °C | 作者: | Cheng, I.-C. Wagner, S. I-CHUN CHENG |
公開日期: | 2003 | 卷: | 427 | 期: | 1-2 | 起(迄)頁: | 56-59 | 來源出版物: | Thin Solid Films | URI: | http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-0037416546&partnerID=MN8TOARS http://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/303208 |
DOI: | 10.1016/S0040-6090(02)01243-9 |
顯示於: | 光電工程學研究所 |
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