https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/304105
標題: | A Novel 0.8V BP-DTMOS Content Addressable Memory Cell Circuit Derived from SOI-DTMOS Techniques | 作者: | E. Shen J. B. Kuo JAMES-B KUO |
公開日期: | 七月-2003 | 起(迄)頁: | 243-245 | 來源出版物: | IEEE Conference on Electron Devices and Solid State Circuits | URI: | http://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/304105 | DOI: | 10.1109/edssc.2003.1283523 |
顯示於: | 電機工程學系 |
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