https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/304330
標題: | Annealing effects on the interfacial properties of GaN MOS prepared by photo-enhanced wet oxidation | 作者: | H.-M. Wu J.-Y. Lin L.-H. Peng C.-M. Lee J.-I. Chyi E. Chen LUNG-HAN PENG |
公開日期: | 十二月-2003 | 來源出版物: | International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS’03) | URI: | http://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/304330 | DOI: | 10.1109/ISDRS.2003.1272156 |
顯示於: | 光電工程學研究所 |
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