https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/308683
標題: | GaAs-Based metal-oxide semiconductor field-effect transistors with Al2O3 gate dielectrics grown by atomic layer deposition | 作者: | Ye, PD Wilk, GD Yang, B Kwo, J Gossmann, H-JL Frei, M Mannaerts, JP Sergent, M Hong, M Ng, KK others MINGHWEI HONG |
公開日期: | 2004 | 卷: | 33 | 期: | 8 | 起(迄)頁: | 912-915 | 來源出版物: | Journal of electronic materials | URI: | http://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/308683 |
顯示於: | 應用物理研究所 |
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