https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/317641
標題: | Gate-Misalignment Related Capacitance Behavior of a 100nm DG SOI MOS Devices with N+/p+ Top/Bottom Gate | 作者: | J. B. KUo C. H. Hsu C. P. Yang JAMES-B KUO |
公開日期: | 十二月-2005 | 來源出版物: | HKEDSSC | URI: | http://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/317641 |
顯示於: | 電機工程學系 |
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