https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/317642
標題: | CGS Capacitance Phenomenon of 100nm FD SOI CMOS Devices with HfO2 High-k Gate Dielectric Considering Vertical and Fringing Displacement Effects | 作者: | Y. S. Lin C. H. Lin J. B. Kuo K. W. Su JAMES-B KUO |
公開日期: | 十二月-2005 | 起(迄)頁: | 95-98 | 來源出版物: | HKEDSSC | URI: | http://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/317642 | DOI: | 10.1109/EDSSC.2005.1635214 |
顯示於: | 電機工程學系 |
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