https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/317935
標題: | Suppression of surface leakage in GaN MOS device by crystalline Ga2O3 layer MOS | 作者: | H.-M. Wu C.-Y. Lu L.-H. Peng LUNG-HAN PENG |
公開日期: | 一月-2005 | 來源出版物: | 6th International Conference on Nitride Semiconductors | 描述: | Bremen, Germany |
URI: | http://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/317935 |
顯示於: | 光電工程學研究所 |
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