dc.relation.reference | Chapter 1
1. S. Nakamura and G. Fasol, The Blue Laser Diode (Springer, Berlin, 1997).
2. H. Morkoc, S. Strite, G. B. Gao, M. E. Lin, B. Sverdlov, and M. Burns, J. Appl. Phys. 76, 1363 (1994).
3. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsusshita, H. Kiyoko, and Y. Sugimoto, Jpn. J. Appl. Phys. 35, L74 (1996).
4. Several interesting papers on III–nitride materials and devices are contained in the February 1997 special issue of MRS Bull. 22, (1997).
5. F. A. Ponce, III–V Nitrides, edited by T. D. Moustakas, I. Akasaki, and B. A. Monemar, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 449 (1997).
6. The Second International Conference on Nitride Semiconductors,Tokushima, Japan, October 27–31, (1997).
7. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 482, 875 (1998).
8. I. Akasaki and H. Amano, Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet. 96, 231 (1996).
9. S. Nakamura, Science 281, 956 (1998).
10. S. J. Pearton, J. C. Zolper, R. J. Shul, and F. Ren, J. Appl. Phys. 86, 1 (1999).
11. H. Morkoc¸, S. Strite, G. B. Gao, M. E. Lin, B. Sverdlov, and M. Burns, J. Appl. Phys. 76, 1363 (1994).
12. S. C. Jain, M. Willander, J. Narayan, and R. Van Overstraeten, J. Appl. Phys. 87, 965 (2000).
13. M. Sugisaki, H. W. Ren, S. V. Nair, K. Nishi, and Y. Masumoto, Phys. Rev. B 66, 235309 (2002).
14. S. Raymond, J. P. Reynolds, J. L. Merz, S. Fafard, Y. Feng, and S. Charbonneau, Phys. Rev. B 58, R13415 (1998).
15. M. Sugisaki, H.-W. Ren, S.V. Nair, K. Nishi, S. Sugou, T. Okuno, and Y. Masumoto, Phys. Rev. B 59, R5300 (1999).
16. J. Shi, C. Xia, S. Wei, and Z. Liu, J. Appl. Phys. 97, 083705 (2005).
17. A. Shikanai, T. Deguchi, T. Sota, T. Kuroda, A. Tackeuchi, S. Chichibu, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 76, 454 (2000).
18. Y. K. Kato, R. C. Myers, A. C. Gossard, and D. D. Awschalom, Science 306, 1910 (2004).
19. N. P. Stern, S. Ghosh, G. Xiang, M. Zhu, N. Samarth, and D. D. Awschalom, Phys. Rev. Lett. 97, 126603 (2006).
20. G. D. Chen, M. Smith, J. Y. Lin, H. X. Jiang, S.-H. Wei, M. A. Khan, and C. J. Sun, Appl. Phys. Lett. 68, 2784 (1996).
21. Group III Nitride Semiconductor Compounds, edited by B. Gil (Clarendon, Oxford 1998).
22. S.-H. Wei and A. Zunger, Appl. Phys. Lett. 69, 2719 (1996).
23. S. Strite and H. Morkoc¸, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 1237 (1992), and references therein.
24. S. Nakamura and G. Fasol, The Blue Laser Diode (Springer, Berlin, 1997).
25. Group III Nitride Semiconductor Compounds: Physics and Applications, edited by B. Gil (Clarendon, Oxford, 1998).
26. Y. Koide, H. Itoh, M. R. H. Khan, K. Hiramatsu, N. Sawaki, and I. Akasaki, J. Appl. Phys. 61, 4540 (1987).
27. H. Angerer et al., Appl. Phys. Lett. 71, 1504 (1997).
28. I. Akasaki and H. Amano, in GaN, edited by J. I. Pankove and T. D. Moustakas (Academic, New York, 1998).
29. H. Amano, T. Takeuchi, S. Sota, H. Sakai, I. Akasaki, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 449, 1143 (1997).
30. H. L. Tsai, T. Y. Wang, J. R. Yang, C. C. Chuo, J. T. Hsu, M. Čeh, and M. Shiojiri J. Appl. Phys. 101, 023521 (2007).
31. S. Nakamura et al., Appl. Phys. Lett. 72, 211 (1998).
32. K. Kumakura, T. Makimoto, and N. Kobayashi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 39, 2428 (2000).
33. P. Kozodoy, M. Hansen, S. P. DenBaars, U. K. Mishra, and J. Kauffman, Appl. Phys. Lett. 74, 3681 (1999).
34. C. Stampfl and C. G. Van de Walle, Appl. Phys. Lett. 72, 459 (1995).
35. S. Nakamura, in GaN and Related Materials II, edited by S. J. Pearton (Gordon and Breach, The Netherlands, 1999), pp. 1–46.
36. T. Tanaka, A. Watanabe, A. Amano, H. Kobayashi, I. Akasaki, S. Yamazaki, and M. Koike, Appl. Phys. Lett. 65, 2024 (1994).
37. L. X. Yun, L. Riba-Salamanca, M. G. Spencer, K. Wongchigul, P. Zhou, X. Tang, V. Talyansky, and T. Venkatesan, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 449, 555 (1997).
38. J. Bai, Tao Wang, Y. Liu, Y. Naoi, H. Li, and S. Sakai, Jpn. J. Appl. Phys. 41, 5909 (2002).
39. Z. L. Weber, M. Benamara, W. Swider, J. Washburn, I. Grzegory and S. Porowsi, D. J. H. Lambert, C. J. Eiting and R. D. Dupuis: Appl. Phys. Lett. 75, 4159 (1999).
40. U. Kayfmann, M. Kunzer, M. Maier, H. Obloh, A. Ramakrishnan, B. Santic and P. Schlotter: Appl. Phys. Lett. 72, 1326 (1998).
41. 36 S. Fischer, C. Wetzel, E. E. Haller and B. K. Meyer: Appl. Phys. Lett. 67, 1298 (1995).
42. J. K. Sheu, Y. K. Su, G. C. Chi, B. J. Pong, C. Y. Chen, C. N. Huang and W. C. Chen: J. Appl. Phys. 84, 4590 (1998).
43. S. F. Chichibu, K. Wada, J. Müllhäuser, O. Brandt, K. H. Ploog, T. Mizutani, A. Setoguchi, R. Nakai, M. Sugiyama, H. Nakanishi, K. Korii, T. Deguchi, T. Sota, S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 76, 1671 (2000).
44. Bee Sim Tan, Shu Yuan, and Xue Jun Kang, Appl. Phys. Lett. 84, 2757 (2004).
45. Joerg R. Jinschek, Christian Kisielowski, Dirk Van Dyck, and Philippe Geuens, Proc. SPIE Int. Soc. Opt. Eng. 5187, 54 (2004).
46. M. Hansen, J. Piprek, P. M. Pattison, J. S. Speck, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 81, 4275 (2002).
47. D. Gerthsen, B. Neubauer, A. Rosenauer, T. Stephan, H. Kalt, O. Schön and M. Heuken, Appl. Phys. Lett. 79, 2552 (2001).
48. H. K. Cho and J. Y. Lee, N. Sharma, C. J. Humphreys, G. M. Yang, C. S. Kim, J. H. Song and P. W. Yu, Appl. Phys. Lett. 79, 2594 (2001).
49. S. Chichibu, T. Azuhata, T. Sota, S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 69, 4188 (1996).
50. C. Caetano, L. K. Teles, M. Marques, A. Dal Pino, Jr., and L. G. Ferreira, Phys. Rev. B 74, 045215 (2006).
51. M. D. McCluskey, C. G. Van de Walle, C. P. Master, L. T. Romano, and N. M. Johnson, Appl. Phys. Lett. 72, 2725 (1998).
52. C. G. Van de Walle, M. D. McCluskey, C. P. Master, L. T. Romano, and N. M. Johnson, Mater. Sci. Eng., B 59, 274 (1999).
53. L. Bellaiche, T. Mattila, L.-W. Wang, S.-H. Wei, and A. Zunger, Appl. Phys. Lett. 74, 1842 (1999).
54. S. Nakamura and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 31, L 457 (1992).
55. S. Nakamura, T. Mukai, and M. Senoh, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 32, L 16 (1993).
56. T. Takeuchi, S. Sota, M. Katsuragawa, M. Komori, H. Takeuchi, H. Amano, and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 36, L382 (1997).
57. N. A. Shapiro, Y. Kim, H. Feick, E. R. Weber, P. Perlin, J. W. Yang, I. Akasaki, and H. Amano, Phys. Rev. B 62, R16318 (2000).
58. F. Bernardini, V. Fiorentini and D. Vanderbilt. Phys. Rev. B 56, R10024 (1997).
59. M. C. Johnson, E. D. Bourret-Courchesne, J. Wu, Z. Liliental-Weber, D. N. Zakharov, D. E. McCready, J. R. WilliamsR. J. Jorgenson and T. B. Ng, J. Appl. Phys. 96, 1381 (2004).
60. J. Bai, T. Wang, and S. Sakai, J. Appl. Phys. 90, 1740 (2001).
61. S. Pereira, M. R. Correia, F. Pereira, E. Alves, A. D. Sequeira, and N. Franco, Appl. Phys. Lett. 79, 1432 (2001).
62. M. E. Aumer, S. F. LeBoeuf, S. M. Bedair, M. Smith, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, Appl. Phys. Lett. 77, 821 (2000).
63. L. Gorgens, O. Ambacher, M. Stutzmann, C. Miskys, F. Scholz, and J. Off, Appl. Phys. Lett. 76, 577 (1999).
64. Y. Kanagawa, T. Ito, Y. Kumagai, A. Koukitu, and N. Kawaguchi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 42, L95 (2003).
65. Y. Kawaguchi, M. Shimizu, K. Hiramatsu, and N. Sawaki, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 449, 89 (1997).
66. A. Koukitu, N. Takahashi, T. Taki, and H. Seki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 35, L673 (1996).
67. A. Koukitu and H. Seki, J. Cryst. Growth 189/190, 13 (1998).
68. C. A. Parker, J. C. Roberts, S. M. Bedair, M. J. Reed, S. X. Liu, and N. A. El-Masry, Appl. Phys. Lett. 75, 2776 (1999).
69. S. J. Pearton, J. C. Zolper, R. J. Shul, and F. Ren, J. Appl. Phys. 86, 1 (1999).
chapter 2
1. Peter Y. Yu and Manuel Cardona, Fundamentals of semiconductors, Springer, New York (1996).
2. W. Shan, T. J. Schmidt, X. H. Yang, S. J. Hwang, J. J. Song, and B. Goldenberg, Appl. Phys. Lett. 66, 985 (1995).
3. B. Monemar, J. P. Bergman, and I. A. Buyanova, in GaN and Related Materials, edited by S. J. Pearton (Gordon and Breach, New York, 1997), pp. 85–139.
4. Y. P. Varshni, Physica (Amsterdam) 34, 149 (1967).
5. H. Y. Ryu, J. K. Hwang, Y. J. Lee, and Y. H. Lee, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 8, 231 (2002).
6. H. J. Chang, Y. F. Chen, H. P. Lin, and C. Y. Mou, Appl. Phys. Lett. 78, 3791 (2001).
7. J. M. Lin, H. Y. Lin, C. L. Cheng and Yang Fang Chen, Nanotechnology 17, 4391 (2006).
8. Baek-Hyun Kim, Chang-Hee Cho, Tae-Wook Kim, Nae-Man Park, Gun Yong Sung, and Seong-Ju Park, Appl. Phys. Lett. 86, 091908 (2005).
9. G. I. Goldstein, D. E. Newbury, P. Echlin, D. C. Joy, C. Fiori, and E. Lifshin, Scanning electron microscopy and X-ray microanalysis, Plenum Press, New York and London (1981).
10. K. Kanaya and S. Okayama, J. Phys. D. 5, 43 (1972).
11. B. G.. Yacobi and D. B. Holt, Cathodoluminescence microscopy of inorganic solids, Plenum Press, New York and London (1990).
12. F. Bertram, S. Srinivasan, R. Liu, L. Geng, F. A. Ponce, T. Riemann, J. Christen, S. Tanaka, H. Omiya and Y. Nakagawa. Mater. Sci. Eng. B 93, 19 (2002).
13. J. Christen and T. Riemann, phys. stat. sol. (b) 228, 419 (2001).
14. http://www.ftf.lth.se/FTF/Person/GustafssonA/CL/Instumentation.htm
15. A. Smekal, Naturwiss. 11, 873 (1923).
16. N. Wieser, O. Ambacher, H.-P. Felsl, L. Görgens, and M. Stutzmann, Appl. Phys. Lett. 74, 3981 (1999)
17. A. G. Kontos, Y. S. Raptis, N. T. Pelekanos, A. Georgakilas, E. Bellet-Amalric, and D. Jalabert, Phys. Rev. B 72, 155336 (2005)
18. W. S. Li, Z. X. Shen, Z. C. Feng, and S. J. Chua, J. Appl. Phys. 87, 3332 (2000).
19. X. D. Pu, J. Chen, W. Z. Shen, H. Ogawa, and Q. X. Guo, J. Appl. Phys. 98, 033527 (2005).
20. V. Y. Davydov, Y. E. Kitaev, I. N. Goncharuk, A. N. Smirnov, J. Graul, O. Semchinova, D. Uffmann, M. B. Smirnov, A. P. Mirgorodsky and R. A. Evarestov, Phys. Rev. B 58, 899 (1998).
21. P. Perlin, C. J. Carillon, J. P. Itie, A. S. Miguel, I. Grzegory and A. Polian, Phys. Rev. B 45, 83 (1992).
22. H. Siegle, L. Eckey, A. Hoffmann, C. Thomsen, B. K. Meyer, D. Schikora, M. Hankeln and K. Lischka, Solid State Commun. 96, 943 (1995).
23. V. Y. Davydov, V. V. Emtsev, I. N. Goncharuk, A. N. Smirnov, V. D. Petrikov, V. V. Mamutin, V. A. Vekshin, S. V. Ivanov, M. B. Smirnov and T. Inushima, Appl. Phys. Lett. 75, 3297 (1999).
24. G. Kaczmarczyk, A. Kaschner, S. Reich, A. Hoffmann, C. Thomsen, D. J. As, A. P. Lima, D. Schikora, K. Lischka, R. Averbeck and H. Riechert, Appl. Phys. Lett. 76, 2122 (2000).
25. H. Harima, J. Phys.: Condens. Matter 14, R967 (2002).
chapter 3
1. Chih-Hsun Hsu, Hung-Chun Lo, Chia-Fu Chen, Chien Ting Wu, Jih-Shang Hwang, Debajyoti Das, Jeff Tsai, Li-Chyong Chen, and Kuei-Hsien Chen, Nano Letters, 4 , 471 (2004).
2. J. C. She, K. Zhao, S. Z. Deng, J. Chen, and N. S. Xu, Appl. Phys. Lett. 87, 052105 (2005).
3. Shih-Chen Shi, Chia Fu Chen, Surojit Chattopadhyay, Kuei-Hsien Chen, Bo-Wen Ke, Li-Chyong Chen, Laima Trinkler, and Baiba Berzina, Appl. Phys. Lett. 89, 163127 (2006).
chapter 4
1. Michael A. Reshchikov and Hadis Morkoc, J. Appl. Phys. 97, 061301 (2005).
2. Jie Bai, Tao Wang, Yuhuai Liu, Yoshiki Naoi, Hongdong Li, and Shiro Sakai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 41, 5909 (2002).
3. A. Bell, R. Liu, F. A. Ponce, H. Amano, I. Akasaki, and D. Cherns, Appl. Phys. Lett. 82, 349 (2003).
4. T. Y. Lin, Y. M. Sheu and Y. F. Chen, Appl. Phys. Lett. 88, 081912 (2006).
5. W. S. Su, M. H. Ya, Y. S. Chiu, and Y. F. Chen, Phys. Rev. B 66, 113305(2002).
6. P. Yu, W. Langbein, K. Leosson, J. M. Hvam, N. N. Ledentsov, D. Bimberg, V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, A. F. Tsatsulnikov, and Yu. G. Musikhin, Phys. Rev. B 60 16680 (1999).
7. H. Saito, K. Nishi, S. Sugou, and Y. Sugimoto, Appl. Phys. Lett. 71, 590 (1997).
8. L. Worschech, W. Ossau, Th. Behr, J. Nürnberger, and G. Landwehr, Appl. Phys. Lett. 73, 835(1998).
9. T. A. Kuhn, W. Ossau. R. N. Bicknell-Tassius, and G. Landwehr, Appl. Phys. Lett. 55, 2637(1989).
10. L. Worschech, W. Ossau, A. Waag, G. Landwehr, U. Hilpert, J. Schreiber, Y. T. Rebane, and Y. G. Shreter, Physica B 273/274, 895(1999).
11. Pachamuthu. Jayavel, H. Tanaka, T. Kita, O. Wada, H. Ebe, M. Sugawara, J. Tatebayashi, Y. Arakawa, Y. Nakata, and T. Akiyama, Appl. Phys. Lett. 84, 1820 (2004).
12. S. Anantathanasarn, R. Notzel, P. J. van Veldhoven, F. W. M. van Otten, T. J. Eijkemans, and J. H. Wolter, Appl. Phys. Lett. 88, 063105 (2006).
chapter 5
1. S. Nakamura and G. Fasol, The Blue Laser Diode (Springer, Berlin, 1997).
2. H. Morkoc, S. Strite, G. B. Gao, M. E. Lin, B. Sverdlov, and M. Burns, J. Appl. Phys. 76, 1363 (1994).
3. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsusshita, H. Kiyoko, and Y. Sugimoto, Jpn. J. Appl. Phys. 35, L74 (1996).
4. M. Sugisaki, H. W. Ren, S. V. Nair, K. Nishi, and Y. Masumoto, Phys. Rev. B 66, 235309 (2002).
5. S. Raymond, J. P. Reynolds, J. L. Merz, S. Fafard, Y. Feng, and S. Charbonneau, Phys. Rev. B 58, R13415 (1998).
6. M. Sugisaki, H.-W. Ren, S.V. Nair, K. Nishi, S. Sugou, T. Okuno, and Y. Masumoto, Phys. Rev. B 59, R5300 (1999).
7. P. Michler, A. Kiraz, C. Becher, W.V. Schoenfeld, P.M. Petroff, L. Zhang, E. Hu, and A. Imamoğlu, Science 290, 2282 (2000).
8. C. Santori, M. Pelton, G. Solomon, Y. Dale, and Y. Yamamoto, Phys. Rev. Lett. 86, 1502 (2001).
9. J. Shi, C. Xia, S. Wei, and Z. Liu, J. Appl. Phys. 97, 083705 (2005).
10. A. Shikanai, T. Deguchi, T. Sota, T. Kuroda, A. Tackeuchi, S. Chichibu, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 76, 454 (2000).
11. J. F. Nye, Physical Properties of Crystals, (Oxford, University Press, London, 1972).
12. R. C. Tu, C. J. Tun, C. C. Chuo, B. C. Lee, C. E. Tsai, T. C. Wang, J. Chi, C. P. Lee and G. C. Chi, Jpn. J. Appl. Phys. 43, L264 (2004).
13. F. Della Sala, A. Di Carlo, P. Lugli, F. Bernardini, V. Fiorentini, R. Scholz, and J.-M. Jancu, Appl. Phys. Lett. 74, 2002 (1999).
14. D. C. Marra, E. S. Aydil, S. J. Joo, E. Yoon, and V. I. Srdanov, Appl. Phys. Lett. 77, 3346 (2000).
15. C. H. Chen, W. H. Chen, Y. F. Chen, and T. Y. Lin, Appl. Phys. Lett. 83, 17702 (2003).
16. H. J. Chang, C. H. Chen, L. Y. Huang, Y. F. Chen, and T. Y. Lin, Appl. Phys. Lett. 86, 011924 (2005).
17. A. Salazar, M. Gateshki, and A. Sánchez-Lavega, Appl. Phys. Lett. 76, 2665 (2000).
18. A. G. Kontos, Y. S. Raptis, N. T. Pelekanos, A. Georgakilas, E. Bellet-Amalric, and D. Jalabert, Phys. Rev. B 72, 155336 (2005), and references therein.
19. V. Darakchieva, P. P. Paskov, E. Valcheva, T. Paskova, B. Monemar, M. Schubert, H. Lu, and W. J. Schaff, Appl. Phys. Lett. 84, 3636 (2004).
chapter 6
1. S. Nakamura and G. Fasol, The Blue Laser Diode (Springer, Berlin, 1997).
2. S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, and S. Nagahama, Jpn. J. Appl. Phys. 34, L797 (1995).
3. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsusshita, H. Kiyoko, and Y. Sugimoto, Jpn. J. Appl. Phys. 35, L74 (1996).
4. S. Nakamura, Science 281, 956 (1998).
5. T. Takeuchi, S. Sota, H. Sakai, H. Amanoa, I. Akasaki, Y. Kaneko, S. Nakagawa, Y. Yamaoka, and N. Yamada, J. Cryst. Growth 189/190, 616 (1998).
6. P. Riblet, H. Hirayama, A. Kinoshita, A. Hirata, T. Sugano, and Y. Aoyagi, Appl. Phys. Lett. 75, 2241 (1999).
7. T. Mukai, M. Yamada, and S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys. 37, L1358 (1998).
8. H. C. Yang, P. F. Kuo, T. Y. Lin, Y. F. Chen, K. H. Chen, L. C. Chen, and J. –I. Chyi, Appl. Phys. Lett. 76, 3127 (2000).
9. T. Takeuchi, S. Sota, M. Katsuragawa, M. Komori, H. Takeuchi, H. Amano, and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2, 36, L382 (1997).
10. T. Wang, D. Nakagawa, J. Wang, T. Sugahara, and S. Sakai, Appl. Phys. Lett. 73, 3571 (1998).
11. E. F. Schubert. Y.-H. Wang, A. Y. Cho, L.-W. Tu, and G. J. Zydzik, Appl. Phys. Lett. 60, 992 (1992).
12. C. Huh, K. S. Lee, E. J. Kang, and S. J. Park, J. Appl. Phys. 93, 9383 (2003).
13. T. Fujii, Y. Gao, R. Sharma, E. L. Hu, S. P. DenBaars, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 84, 855 (2004).
14. E. Kuokstis, C. Q. Chen, J. W. Yang, M. Shatalov, M. E. Gaevski, V. Adivarahan, and M. A. Khan, Appl. Phys. Lett. 84, 2998 (2004).
15. T. N. Oder, H. S. Kim, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, Appl. Phys. Lett. 84, 466 (2004).
16. C. F. Lin, J. H. Zheng, Z. J. Yang, J. J. Dai, D. Y. Lin, C. Y. Chang, Z. X. Lai, and C. S. Hong, Appl. Phys. Lett. 88, 083121 (2006).
17. Chih-Hsun Hsu, Hung-Chun Lo, Chia-Fu Chen, Chien Ting Wu, Jih-Shang Hwang, Debajyoti Das, Jeff Tsai, Li-Chyong Chen, and Kuei-Hsien Chen, Nano Letters, 4 , 471 (2004).
18. J. C. She, K. Zhao, S. Z. Deng, J. Chen, and N. S. Xu, Appl. Phys. Lett. 87, 052105 (2005).
19. Shih-Chen Shi, Chia Fu Chen, Surojit Chattopadhyay, Kuei-Hsien Chen, Bo-Wen Ke, Li-Chyong Chen, Laima Trinkler, and Baiba Berzina, Appl. Phys. Lett. 89, 163127 (2006).
20. F. Della Sala, A. Di Carlo, P. Lugli, F. Bernardini, V. Fiorentini, R. Scholz, and J.-M. Jancu, Appl. Phys. Lett. 74, 2002 (1999).
21. C. H. Chen, W. H. Chen, Y. F. Chen, and T. Y. Lin, Appl. Phys. Lett. 83, 17702 (2003).
22. A. G. Kontos, Y. S. Raptis, N. T. Pelekanos, A. Georgakilas, E. Bellet-Amalric, and D. Jalabert, Phys. Rev. B 72, 155336 (2005), and references therein.
23. C. H. Liang, L. C. Chen, J. S. Hwang, K. H. Chen, Y. T. Hung, and Y. F. Chen, Appl. Phys. Lett. 81, 22 (2002).
24. T. Y. Lin, Appl. Phys. Lett. 82, 880 (2003).
25. V. Darakchieva, P. P. Paskov, E. Valcheva, T. Paskova, B. Monemar, M. Schubert, H. Lu, and W. J. Schaff, Appl. Phys. Lett. 84, 3636 (2004).
chapter 7
1. M. I. Dyakonov, and V. I. Perel, Sov. Phys. JETP 33, 1053 (1971).
2. S. Datta, and B. Das, Appl. Phys. Lett. 56, 665 (1990).
3. V. M. Edelstein, Solid State Comm. 73, 233 (1990).
4. J. E. Hirsch, Phys. Rev. Lett. 83, 1834 (1999).
5. S. D. Ganichev, andW. Prettl, J. Phys. C, 15, R935 (2003), and references therein.
6. S. Murakami, N. Nagaosa, and S. C. Zhang, Science 301, 1378 (2003).
7. J. Sinova, D. Culcer, Q. Niu, N. A. Sinitsyn, T. Jungwirth, and A. H. MacDonald, Phys. Rev. Lett. 92, 126603 (2004).
8. Y. K. Kato, R. C. Myers, A. C. Gossard, and D. D. Awschalom, Science 306, 1910 (2004).
9. J. Wunderlich, B. Kaestner, J. Sinova, and T. Jungwirth, Phys. Rev. Lett. 94, 047204 (2005).
10. V. Sih, R. C. Myers, Y. K. Kato, W. H. Lau, A. C. Gossard, and D. D. Awschalom, Nat. Phys. 1, 31 (2005).
11. S. Murakami, N. Nagaosa, and S.-C. Zhang, Phys. Rev. Lett. 93, 156804 (2004).
12. E. I. Rashba, Phys. Rev. B 70, 201309(R) (2004).
13. N. A. Sinitsyn, E. M. Hankiewicz,W. Teizer, and J. Sinova, Phys. Rev. B 70, 081312(R) (2004).
14. A. A. Burkov, A. S. Nunez, and A. H. MacDonald, Phys. Rev. B 70, 155308 (2004).
15. G. Y. Guo, Y. Yao, and Q. Niu, Phys. Rev. Lett. 94, 226601 (2005).
16. J. E. Hirsch, Phys. Rev. B 71, 184521 (2005).
17. N. P. Stern, S. Ghosh, G. Xiang, M. Zhu, N. Samarth, and D. D. Awschalom, Phys. Rev. Lett. 97, 126603 (2006).
18. S. Nakamura and G. Fasol, The Blue Laser Diode (Springer, Berlin, 1997).
19. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsusshita, H. Kiyoko, and Y. Sugimoto, Jpn. J. Appl. Phys. 35, L74 (1996).
20. T. Y. Lin, Appl. Phys. Lett. 82, 880 (2003).
21. A. G. Mal’shukov and K. A. Chao, Phys. Rev. B 65, 241308(R) (2002).
22. D. M. Gvozdic and U. Ekenberg, Europhys. Lett., 73, 927 (2006).
23. A. G. Kontos, Y. S. Raptis, N. T. Pelekanos, A. Georgakilas, E. Bellet-Amalric, and D. Jalabert, Phys. Rev. B 72, 155336 (2005), and references therein.
24. I. Zorkani and E. Kartheuser, Phys. Rev. B. 53, 1871 (1996).
25. P. Balaha, K. Schwarz, G. Madsen, et al., wien2K, An Augmented Plane Wave Local Orbitals Program for Calculating Crystal Properties (Technology University Wien, Austria, 2002).
26. G. Y. Guo, and T. -W. Chen, (to be published).
27. K. S. Cho, T. Y. Huang, H. S.Wang, M. G. Lin, T. M. Chen, C.-T. Liang, Y. F. Chen, and I. Lo, Appl. Phys. Lett. 86, 222102 (2005).
28. N. Grandjean, J. Massies and M. Leroux, Appl. Phys. Lett. 74, 2361 (1999).
29. N. Grandjean, B. Damilano, S. Dalmasso, M. Leroux, M. Laugt, and J. Massies, J. Appl. Phys. 86, 3714 (1999).
30. T.-W. Chen, C.-M. Huang, and G. Y. Guo, Phys. Rev. B. 73, 235309 (2006).
31. J. Sinova, S. Murakamib, S. Q. Shenc, and M. S. Choi, Solid State Comm. 138, 214 (2006).
chapter 8
1. S. F. Chichibu, K. Wada, J. Müllhäuser, O. Brandt, K. H. Ploog, T. Mizutani, A. Setoguchi, R. Nakai, M. Sugiyama, H. Nakanishi, K. Korii, T. Deguchi, T. Sota, S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 76, 1671 (2000).
2. Bee Sim Tan, Shu Yuan, and Xue Jun Kang, Appl. Phys. Lett. 84, 2757 (2004).
3. Joerg R. Jinschek, Christian Kisielowski, Dirk Van Dyck, and Philippe Geuens, Proc. SPIE Int. Soc. Opt. Eng. 5187, 54 (2004).
4. M. Hansen, J. Piprek, P. M. Pattison, J. S. Speck, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 81, 4275 (2002).
5. D. Gerthsen, B. Neubauer, A. Rosenauer, T. Stephan, H. Kalt, O. Schön and M. Heuken, Appl. Phys. Lett. 79, 2552 (2001).
6. H. K. Cho and J. Y. Lee, N. Sharma, C. J. Humphreys, G. M. Yang, C. S. Kim, J. H. Song and P. W. Yu, Appl. Phys. Lett. 79, 2594 (2001).
7. S. Chichibu, T. Azuhata, T. Sota, S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 69, 4188 (1996).
8. Yong-Tae Moon, Dong-Joon Kim, Jin-Sub Park, Jeong-Tak Oh, Ji-Myon Lee, Young-Woo Ok, Hyunsoo Kim, and Seong-Ju Park , Appl. Phys. Lett. 79, 599 (2001).
9. F. B. Naranjo, M. A. Sánchez-García, F. Calle, E. Calleja, B. Jenichen, and K. H. Ploog , Appl. Phys. Lett. 80, 231 (2002).
10. A. Tabata L. K. Teles, L. M. R. Scolfaro, and J. R. Leite, Appl. Phys. Lett. 80, 769 (2002).
11. M. K. Behbehani, E. L. Piner, S. X. Liu, and N. A. El-Masry, Appl. Phys. Lett. 75, 2202 (1999).
12. R. Seguin, S. Rodt, A. Strittmatter, L. Reissmann, T. Bartel, A. Hoffmann, D.Bimberg, E. Hahn and D. Gerthsen, Appl. Phys. Lett. 84, 4023 (2004).
13. K. S. Ramaiah, Y. K. Su, S. J. Chang, C. H. Chen, F. S. Juang, H. P. Liu and I. G. Chen, Appl. Phys. Lett. 85, 401 (2004).
14. N. A. El-Masry, E. L. Piner, S. X. Liu, and S. M. Bedair, Appl. Phys. Lett. 72, 40 (1998).
15. L. Vegard, Z. Phys. 5, 17 (1921).
16. P. Ruterana, S. Kret, A. Vivet, G. Maciejewski, and P. Dluzewski, J. Appl. Phys. 91, 8979 (2002).
17. J. Wu, W. Walukiewicz, K. M. Yu, and J. W. Ager III, Appl. Phys. Lett. 80, 4741 (2002) | en |