https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/321886
標題: | Direct indication of lateral nonuniformities of MOS capacitors from the negative equivalent interface trap density based on charge-temperature technique | 作者: | Hwu, J.G. Wang, W.S. JENN-GWO HWU |
公開日期: | 1986 | 卷: | 40 | 期: | 1 | 起(迄)頁: | 41-46 | 來源出版物: | Applied Physics A Solids and Surfaces | URI: | http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-0022718459&partnerID=MN8TOARS http://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/321886 |
DOI: | 10.1007/BF00616590 |
顯示於: | 電機工程學系 |
在 IR 系統中的文件,除了特別指名其著作權條款之外,均受到著作權保護,並且保留所有的權利。