https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/324117
標題: | High-breakdown-voltage Ga/sub 0.51/In/sub 0.49/P channel MESFET's grown by GSMBE | 作者: | Lin, Y.-S. Lu, S.-S. |
公開日期: | 1996 | 卷: | 17 | 期: | 9 | 起(迄)頁: | 452-454 | 來源出版物: | IEEE Electron Device Letters | URI: | http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-0030241695&partnerID=MN8TOARS http://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/324117 |
DOI: | 10.1109/55.536290 |
顯示於: | 電機工程學系 |
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