https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/325384
標題: | Analysis of the gate-source/drain capacitance behavior of a narrow-channel FD SOINMOS device considering the 3-D fringing capacitances using 3-D simulation | 作者: | C. C. Chen J. B. Kuo K. W. Su, S. Liu JAMES-B KUO |
公開日期: | 十月-2006 | 卷: | 53 | 期: | 10 | 起(迄)頁: | 2559-2563 | 來源出版物: | IEEE Transactions on Electron Devices | URI: | http://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/325384 | DOI: | 10.1109/ted.2006.882277 |
顯示於: | 電機工程學系 |
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