dc.relation.reference | 1 D. J. H. Lambert, M. M. Wong, U. Chowdhury, C. Collins, T. Li, H. K. Kwon, B. S. Shelton, T. G. Zhu, J. C. Campbell, and R. D. Dupuis, Appl. Phys. Lett. 77, 1900 (2000).
2 A.Chitnis, J. P. Zhang, V. Adivarahan, M. Shatalov, S. Wu, R. Pachipulusu, V. Mandavilli, and M. Asif Khan, Appl. Phys. Lett. 82, 2565 (2003).
3 E. M. Chumbes, A. T. Schremer, J. A. Smart, Y. Wang, N. C. MacDonald, D. Hogue, J. J. Komiak, S. J. Lichwalla, R. E. Leoni, and J. R. Shealy, IEEE Trans. Electron. 48, 420 (2001).
4 K. Hiramatsu, J. Phys.: Condens. Matter 13, 6961 (2001).
5 B. Beaumont, P. Vénnégués, and P. Gibart, Phys. Status Solidi B 227, 1 (2001).
6 M. Yano, T. Detchprohm, R. Nakamura, S. Sano, S. Mochizuki, T.Nakamura, H. Amano, and I. Akasaki, IPAP Conf. Series 1, 292 (2000).
7 M. Iwaya, R. Nakamura, S. Terao, T. Ukai, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki, IPAP Conf. Series 1, 833 (2000).
8 T. Detchprohm, M. Yano, S. Sano, R. Nakamura, S. Mochizuki, T. Nakamura, H. Amano, and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys. Part 2 40, L16 (2001).
9 T. Riemann ,J. Christen,A. Kaschner, A. Laades, A. Hoffmann, C.Thomsen, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki, Appl. Phys. Lett. 80, 3093 (2002).
10 A. Bell, R. Liu, F. A. Ponce, H. Amano, I. Akasaki, and D. Cherns, Appl. Phys. Lett. 82, 349 (2003).
11 K. Watanabe, J. R. Yang, S. Y. Huang, K. Inoke, J. T. Hsu, R. C. Tu, T. Yamazaki, and N. Nakanishi, Appl. Phys. Lett. 82, 718 (2003).
12 X. H. Wu, C. R. Elsass, A. Abare, M. Mack, S. Keller, P. M. Petroff, S. P.DenBaars, J. S. Speck, and S. J. Rosner, Appl. Phys. Lett. 72, 692 (1998).
13 Y. Chen, T. Takeuchi, H. Amano, I. Akasaki, N. Yamada, Y. Kaneko, and S. Y. Wang Appl. Phys. Lett. 72, 710 (1998).
14 Y. Kawaguchi, M. Shimizu, M. Yamaguchi, K. Hiramatsu, N. Sawaski, W. Taki, H. Tsuda, N. Kuwano, K. Oki, T. Zheleva, and R. F. Davis, J. Cryst. Growth 24, 189/190 (1998).
15 B. Pécz , Zs. Makkai , M. A. di Forte-Poisson ,F. Huet, and R. E. Dunin-Borkowski, Appl. Phys. Lett. 78, 1529 (2001).
16 F. Scholz, J. Off, E. Fehrenbacher, O. Gfŕorer, and G. Brockt, Phys. Status Solidi A 180, 315 (2000).
17 N. Sharma, P. Thomas, D. Tricker, and C. Humphreys, Appl. Phys. Lett. 77, 1274 (2000).
18 C. S. Ku, J. M. Peng, W. C. Ke, H. Y. Huang, N. E. Tang, W. K. Chen, W. H. Chen, and M. C. Lee, Appl. Phys. Lett. 85, 2818 (2004).
19 C. B. Soh, S. J. Chua, S. Tripathy, W. Liu, and D. Z. Chi, J. Phys.: Condens. Matter 17, 729 (2005).
20 M. S. Jeong, Y.-W. Kim,J. O. White, E.-K. Suh, M. G. Cheong, C. S. Kim, C.-H. Hong, and H. J. Lee, Appl. Phys. Lett. 79, 3440 (2001).
1 H. Amano, M. Kito, K. Hiramatsu, and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys. 28, L2112 (1989).
2 S. Nakamura, N. Iwasa, M. Senoh, and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys. 31, 1258 (1992).
3 D. J. H. Lambert, M. M. Wong, U. Chowdhury, C. Collins, T. Li, H. K. Kwon, B. S. Shelton, T. G. Zhu, J. C. Campbell, and R. D. Dupuis, Appl. Phys. Lett. 77, 1900 (2000).
4 A. Usui, Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 482, 233 (1998).
5 T. S. Zheleva, O. H. Nam, M. D. Bremser, and R. F. Davis, Appl. Phys. Lett. 71, 2472 (1997).
6 O. Nam, M. D. Bremser, B. L. Ward, R. J. Nemanich, and R. F. Davis, Jpn. J. Appl. Phys. 36, L532 (1997).
7 Akira Sakai, H. Sunakawa and A. Usui, Appl. Phys. Lett. 73, 481 (1998).
8 O. Nam, M. D. Bremser, T. S. Zheleva, and R. F. Davis, Appl. Phys. Lett. 71, 2638 (1997).
9 A. Bell, R. Liu, F. A. Ponce, H. Amano, I. Akasaki, and D. Cherns, Appl. Phys. Lett. 82, 349 (2003).
10 T. Riemann ,J. Christen,A. Kaschner, A. Laades, A. Hoffmann, C.Thomsen, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki, Appl. Phys. Lett. 80, 3093 (2002).
11 Y. Chen, R. Schneider, S. Y. Wang, R. S. Kern, C. H. Chen, and C. P. Kuo, Appl. Phys. Lett. 75, 2062 (1999).
12 K. Watanabe, J. R. Yang, S. Y. Huang, K. Inoke, J. T. Hsu, R. C. Tu, T. Yamazaki, and N. Nakanishi, Appl. Phys. Lett. 82, 718 (2003).
13 X. H. Wu, C. R. Elsass, A. Abare, M. Mack, S. Keller, P. M. Petroff, S. P.DenBaars, J. S. Speck, and S. J. Rosner, Appl. Phys. Lett. 72, 692 (1998).
14 Y. Chen, T. Takeuchi, H. Amano, I. Akasaki, N. Yamada, Y. Kaneko, and S. Y. Wang Appl. Phys. Lett. 72, 710 (1998).
15 Y. Kawaguchi, M. Shimizu, M. Yamaguchi, K. Hiramatsu, N. Sawaski, W. Taki, H. Tsuda, N. Kuwano, K. Oki, T. Zheleva, and R. F. Davis, J. Cryst. Growth 24, 189/190 (1998).
16 B. Pécz , Zs. Makkai , M. A. di Forte-Poisson ,F. Huet, and R. E. Dunin-Borkowski, Appl. Phys. Lett. 78, 1529 (2001).
17 J. E. Northrup, L. T. Romano and J. Neugebauer, Appl. Phys. Lett. 74, 2319 (1999).
18 L. T. Romano and J. E. Northrup, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 449, 423 (1997).
19 B. Pécz, M. A. di Forte-Poisson, F. Huet, G. Radnóczi, L. To´th, V. Papaioannou,and J. Stoemenos, J. Appl. Phys. 86, 6059 (1999).
20 W. Qian, M. Skowronski, and G. S. Rohrer, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 423, 475 (1996).
21 J-L. Rouviére, M. Arlery, A. Bourret, R. Niebuhr, and K. Bachem, Inst. Phys. Conf. Ser. 146, 285 (1995).
22 K. Dovidenko, S. Oktyabrsky, J. Narayan, and M. Razeghi, MRS Internet, J. Nitride Semicond. Res. 4S1, G6.46 (1999).
23 C. B. Soh, S. J. Chua, S. Tripathy, W. Liu, and D. Z. Chi, J. Phys.: Condens. Matter 17, 729 (2005).
24 C. S. Ku, J. M. Peng, W. C. Ke, H. Y. Huang, N. E. Tang, W. K. Chen, W. H. Chen, and M. C. Lee, Appl. Phys. Lett. 85, 2818 (2004).
25 M. S. Jeong, Y.-W. Kim,J. O. White, E.-K. Suh, M. G. Cheong, C. S. Kim, C.-H. Hong, and H. J. Lee, Appl. Phys. Lett. 79, 3440 (2001).
26 Y. Eguchi, S. Kishimoto, and T. Mizutani, Jpn. J. Appl. Phys. 40, L589 (2001).
1 P. M. Bridger, Z. Z. Bandic, E. C. Piquette, and T. C. McGill, J. Vav. Sci. Technol. B 17, 1750 (1999).
2 R. Chierchia, T. BWttcher, H. Heinke, S. Einfeldt, S. Figge, and D. Hommel, J. Appl. Phys. 93, 8918 (2003).
3 S. W. Lee, H. C. Chen, and L. J. Chen, J. Appl. Phys. 92, 6880 (2002).
4 F. Zenhauserrxa M. Adrian, B. ten Heggeler-Bordier, F. Ardizzoni, and P. Descouts, J. Appl. Phys. 73, 7232 (1993).
5 NT-MDT (The AFM manufacturer) operation manual.
1 H. Morkoc, Nitride Semiconductors and Devices (Springer, Heidelberg, 1999).
2 S. Nakamura, Science. 281, 956 (1998).
3 M. S. Shur and M. A. Khan, MRS Bull. 22, 44 (1997).
4 Gallium Nitride (GaN) I, in Semiconductors and Semimetals, edited by J. I. Pankove and T. D. Moustakas (Academic, New York, 1998), Vol. 50.
5 K. Hiramatsu, Y. Kawaguchi, M. Shimizu, N. Sawaki, T. Zheleva, R. F. Davis, H. Tsuda, W. Taki, N. Kuwano, and K. Oki, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 2, 6 (1997).
6 Y. Kawaguchi, M. Shimizu, K. Hiramatsu, and N. Sawaki, Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 449, 89 (1997).
7 S. Pereira, M. R. Correia, E. Pereira, K. P. O’Donnell, C. Trager-Cowan, F. Sweeney, and E. Alves, Phys. Rev. B 64, 205311 (2001).
8 H. Y. Lin, Y. F. Chen, T. Y. Lin, C. F. Shih, K. S. Liub, and N. C. Chen, J. Cryst. Growth 290, 225 (2006).
9 T. Sugahara, H. Sato, M. Hao, Y. Naoi, S. Kurai, S. Tottori, K. Yamashita,K. Nishino, L. T. Romano, and S. Sakai, Jpn. J. Appl. Phys. Part 2 37, L398 (1998).
10 D. R. Hang, C. H. Chen, Y. F. Chen, H. X. Jiang, and J. Y. Lin J, Appl. Phys. 90, 1887 (2001). | en |