https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/340160
標題: | Self-aligned inversion n-channel In 0.2 Ga 0.8 As/GaAs metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors with TiN gate and Ga 2 O 3 (Gd 2 O 3) dielectric | 作者: | Chen, CP Lin, TD Lee, YJ Chang, YC Hong, M Kwo, J MINGHWEI HONG |
公開日期: | 2008 | 卷: | 52 | 期: | 10 | 起(迄)頁: | 1615-1618 | 來源出版物: | Solid-State Electronics | URI: | http://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/340160 |
顯示於: | 應用物理研究所 |
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